FDS4480是一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要用于低电压应用场合,具有低导通电阻和高开关速度的特性。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:4.8A
导通电阻:60mΩ
栅极电荷:7nC
开关时间:ton=13ns, toff=18ns
FDS4480具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它拥有较高的开关速度,适合高频应用。此外,该器件的热稳定性良好,并且能够承受一定程度的浪涌电流。由于其小型化封装设计,非常适合空间受限的应用场景。
主要特点总结如下:
1. 低导通电阻以优化能效。
2. 高速开关能力,适用于高频电路。
3. 小型TO-252封装,节省PCB面积。
4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。
FDS4480广泛应用于消费类电子、工业控制及通信领域中的各种电源管理解决方案中。具体来说,它可以用于以下场景:
1. 各种DC-DC转换器设计。
2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
3. 智能手机和其他便携式设备的电池保护电路。
4. 小功率电机驱动控制。
5. LED驱动器中的开关元件。
FDP5580
IRLZ44N
FDN337N