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FDS4480 发布时间 时间:2025/6/23 22:24:35 查看 阅读:3

FDS4480是一款N沟道增强型MOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要用于低电压应用场合,具有低导通电阻和高开关速度的特性。其典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±12V
  连续漏极电流:4.8A
  导通电阻:60mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关时间:ton=13ns, toff=18ns

特性

FDS4480具备较低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它拥有较高的开关速度,适合高频应用。此外,该器件的热稳定性良好,并且能够承受一定程度的浪涌电流。由于其小型化封装设计,非常适合空间受限的应用场景。
  主要特点总结如下:
  1. 低导通电阻以优化能效。
  2. 高速开关能力,适用于高频电路。
  3. 小型TO-252封装,节省PCB面积。
  4. 良好的热性能,确保长时间稳定运行。

应用

FDS4480广泛应用于消费类电子、工业控制及通信领域中的各种电源管理解决方案中。具体来说,它可以用于以下场景:
  1. 各种DC-DC转换器设计。
  2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
  3. 智能手机和其他便携式设备的电池保护电路。
  4. 小功率电机驱动控制。
  5. LED驱动器中的开关元件。

替代型号

FDP5580
  IRLZ44N
  FDN337N

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FDS4480参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12 毫欧 @ 10.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1686pF @ 20V
  • 功率 - 最大1.2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)