IR3Y29B 时间：2025/8/28 23:02:46 阅读：83

IR3Y29B 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于高频率开关操作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：110A
　　导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

特性

IR3Y29B 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的导通电阻仅为 2.9mΩ，使其非常适合用于高电流应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。此外，IR3Y29B 采用先进的沟槽 MOSFET 技术，能够提供卓越的热性能和高频开关能力，从而减少开关损耗。
　　该器件的额定漏源电压为 30V，栅源电压范围为 ±20V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。其最大连续漏极电流可达 110A，支持高功率输出应用。此外，IR3Y29B 的封装形式为 PG-HSOF-8，这是一种表面贴装封装，有助于节省电路板空间，并提高热管理效率。
　　在可靠性方面，IR3Y29B 设计有良好的热保护和过流保护能力，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适应各种工业环境的应用需求。

应用

IR3Y29B 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，IR3Y29B 能够显著提高系统的整体能效和稳定性。此外，由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件也常用于高性能电源模块和高密度电源设计中。