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IR3Y29B 发布时间 时间:2025/8/28 23:02:46 查看 阅读:79

IR3Y29B 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和电机控制等领域。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高效率的特性,适用于高频率开关操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):110A
  导通电阻(Rds(on)):2.9mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:PG-HSOF-8

特性

IR3Y29B 的核心特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件的导通电阻仅为 2.9mΩ,使其非常适合用于高电流应用,如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。此外,IR3Y29B 采用先进的沟槽 MOSFET 技术,能够提供卓越的热性能和高频开关能力,从而减少开关损耗。
  该器件的额定漏源电压为 30V,栅源电压范围为 ±20V,能够在较宽的电压范围内稳定工作。其最大连续漏极电流可达 110A,支持高功率输出应用。此外,IR3Y29B 的封装形式为 PG-HSOF-8,这是一种表面贴装封装,有助于节省电路板空间,并提高热管理效率。
  在可靠性方面,IR3Y29B 设计有良好的热保护和过流保护能力,确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。其工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适应各种工业环境的应用需求。

应用

IR3Y29B 主要应用于需要高效功率转换和管理的场合。常见的应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统等。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中,IR3Y29B 能够显著提高系统的整体能效和稳定性。此外,由于其高电流承载能力和低导通损耗,该器件也常用于高性能电源模块和高密度电源设计中。

替代型号

Si7496DP, IRF3710, AO4407

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