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FDB390N15A 发布时间 时间:2025/12/23 19:25:50 查看 阅读:14

FDB390N15A 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用先进的 Trench 工艺制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。其额定电压为 150V,适合用于中等电压范围的电路设计。
  该 MOSFET 的封装形式为 TO-263(DPAK),便于表面贴装工艺,并且具备良好的散热性能。它在工业控制、电机驱动、DC-DC 转换器以及电源管理等领域有着广泛应用。

参数

最大漏源极电压:150V
  最大连续漏极电流:4.4A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):150mΩ
  总功耗:35W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷(典型值):18nC
  反向恢复时间(典型值):30ns

特性

FDB390N15A 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,在 Vgs=10V 时仅为 150mΩ,可有效降低传导损耗。
  2. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷和反向恢复时间,从而提高了效率。
  3. 高度可靠的设计,支持高达 175℃ 的结温操作。
  4. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装。
  5. 提供优异的热稳定性和电气稳定性,确保长期使用中的可靠性。
  这些特性使 FDB390N15A 成为需要高效功率处理的应用的理想选择。

应用

FDB390N15A 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率级管理。
  4. LED 驱动器和固态照明系统。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
  6. 各类消费电子产品中的负载开关和保护电路。
  凭借其高性能指标和稳健设计,这款 MOSFET 可以满足多种复杂应用场景的需求。

替代型号

FDS6680A, IRFZ44N, SI4845DY

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FDB390N15A参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C39 毫欧 @ 27A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1285pF @ 75V
  • 功率 - 最大75W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D²PAK
  • 包装带卷 (TR)