时间：2025/8/6 18:23:10
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HM61C092C382LL 是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片设计用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。其容量为8K x 8位（即64Kbit），工作电压为3.3V，采用高速CMOS工艺制造，具有较高的稳定性和较低的功耗。HM61C092C382LL 采用52引脚LLP（Leadless Leadframe Package）封装，适用于工业控制、网络设备、通信系统以及嵌入式系统等应用。
容量：64Kbit
组织方式：8K x 8位
电源电压：3.3V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：52引脚LLP
最大工作频率：100MHz
输入/输出电平：TTL兼容
待机电流：最大10mA
封装尺寸：8mm x 8mm
HM61C092C382LL 具有以下显著特性：其高速访问时间为10ns，使其适用于需要快速数据存取的应用。该芯片采用CMOS技术，功耗低，在正常工作模式下电流消耗较小，同时在待机模式下电流消耗也控制在10mA以下，适合对功耗敏感的系统使用。其TTL兼容的输入/输出电平，使其能够与多种控制器和处理器无缝连接，无需额外的电平转换器。该芯片的封装为52引脚LLP，体积小巧，适合在空间受限的PCB布局中使用。
HM61C092C382LL 的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在较为严苛的环境条件下稳定运行，适用于工业级应用。此外，该SRAM芯片具备高抗噪性能，能够在高频率工作时保持数据的完整性。其内部地址和数据线采用优化设计，减少了信号延迟和串扰，从而提高了整体系统的稳定性和响应速度。
HM61C092C382LL 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合。典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络交换机和路由器的数据缓冲区、工业控制器的临时数据存储模块、通信设备中的帧缓存以及视频处理系统中的帧缓冲器。由于其高速访问和低功耗特性，该芯片也非常适合用于便携式设备中的短期数据存储需求，例如手持终端、测试仪器和数据采集系统等。在汽车电子系统中，HM61C092C382LL 可用于车载控制单元（ECU）或车载娱乐系统中的缓存存储器，以提高系统的响应速度和稳定性。
CY62148VLLA15ZSXI, IS61C1024ALBLL-10B4I, IDT71V016S10PFGI
