时间：2025/8/9 12:06:00
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2SK3871-01MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换系统。这款MOSFET具有低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统和开关电源等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP（H）/6
安装类型：表面贴装
2SK3871-01MR的主要特性包括低导通电阻，可降低功率损耗并提高效率；采用高密度沟槽技术，实现更高的电流承载能力；具有良好的热管理性能，可在高温环境下稳定工作；同时具备高雪崩耐量，提高了器件的可靠性和耐用性。
此外，该器件的封装设计紧凑，适合在空间受限的应用中使用，且其表面贴装封装便于自动化生产与装配。该MOSFET还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。
2SK3871-01MR适用于多种功率电子设备，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电动工具、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和马达控制电路等。在这些应用中，它能够提供高效的功率转换和稳定的性能表现。
SiR344DP-T1-GE3, FDS6680, IPB013N04NGATMA1
