时间：2025/5/24 20:09:16
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VBUS05B1-SD0-G4-08 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率开关器件，主要用于提升电力转换效率和缩小电源系统的体积。该型号属于 GaN Systems 的产品系列，采用增强型 GaN FET 技术，具有极低的导通电阻和快速开关特性，适用于高频 AC/DC 和 DC/DC 转换器等应用场景。
其设计旨在满足现代电子设备对高效率、高功率密度和高性能的需求，广泛应用于消费电子、工业电源、电动汽车充电以及通信基础设施等领域。
额定电压：650V
最大导通电阻：4.5mΩ
连续漏极电流：23A
栅极电荷：75nC
反向恢复电荷：无（零反向恢复）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：GSP-8 封装
1. 使用增强型氮化镓技术，具备更低的导通电阻和更高的效率。
2. 零反向恢复电荷特性，有效减少开关损耗。
3. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用。
4. 极低的输出电容和栅极电荷，有助于实现快速切换。
5. 具备强大的热性能，能够适应高温环境下的稳定运行。
6. 内置静电保护功能，提高器件在实际应用中的可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
1. 消费类快充适配器（如 USB PD 充电器）。
2. 工业级高效 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
3. 数据中心电源模块及服务器供电系统。
4. 新能源汽车车载充电器 (OBC) 和直流充电桩。
5. 通信基站电源和分布式电源架构。
6. 高频谐振拓扑电路（LLC、PFC 等）。
GS66508T, VBUS05B2-SD0-G4-08
