类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：60V
　　漏极-源极导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ（最大值，典型值为3.9mΩ）
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A（在25°C环境温度下）
　　功耗（Ptot）：110W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PG-TDSON-8

IR3Y06具有多项显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流应用中导通损耗的最小化，从而提高整体系统效率。其次，该器件采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。
　　此外，IR3Y06具有优异的开关性能，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关电源应用。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担，提高响应速度。
　　该MOSFET还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在突发电压或电流应力下的可靠性。同时，其栅极氧化层设计具有较高的耐用性，支持长期稳定运行。
　　IR3Y06的PG-TDSON-8封装形式具有较小的PCB占用面积，适合高密度电源设计。该封装还优化了引线电感，进一步提升高频应用中的性能表现。

IR3Y06广泛应用于多种高性能电源管理系统中，例如服务器电源、电信基础设施设备、电池充电器、DC-DC转换器以及同步整流器。其高效的导通和开关性能使其成为电源模块、负载点（POL）转换器以及电机控制系统的理想选择。
　　在服务器和数据中心应用中，IR3Y06可用于构建高效率的VRM（电压调节模块）和DC-DC转换器，满足高性能处理器的供电需求。在电池管理系统中，它可用于实现高效的充放电控制。
　　此外，该器件还适用于工业自动化设备、电源适配器、太阳能逆变器等需要高效率、高可靠性的功率转换系统。

IPD60R1K5C6 | IRF6728 | BSC080N06LS