PA4343.473NLT 是一只高性能的多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于各种电子设备中,提供稳定的电容性能。该电容器采用陶瓷介质和多层结构设计,以实现高电容值和低等效串联电阻(ESR)。它通常用于去耦、滤波和能量存储等应用,适用于高频率和高稳定性要求的电路环境。
电容值:47nF (47000 pF)
容差:±5%
额定电压:50V
温度系数:X7R
封装类型:1210 (3225 公制)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
绝缘电阻:10000 MΩ 最小
损耗因子(DF):最大 5%
PA4343.473NLT 陶瓷电容器的核心特性之一是其稳定的电容性能,即使在温度变化的环境下也能保持相对恒定的电容值。由于采用了X7R介质材料,其温度系数非常低,适合用于需要高稳定性的应用场景。此外,该电容器具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL),使其在高频环境下表现优异,适用于滤波和去耦电路。
另一个显著特点是其高耐压能力,额定电压为50V,可以满足大多数中低电压应用的需求。在极端工作条件下,如高温或低温环境中,该电容器依然能够保持稳定运行,工作温度范围覆盖-55°C至+125°C,使其适用于工业级和汽车级电子设备。
PA4343.473NLT采用1210(3225公制)表面贴装封装,方便自动化生产和高密度PCB布局。其封装设计确保了良好的焊接可靠性和机械强度,适用于各类电子设备,包括电源模块、射频电路和嵌入式系统。此外,该电容器的绝缘电阻高达10000 MΩ,保证了电路中的高绝缘性能,降低了漏电流的风险。
PA4343.473NLT 主要用于以下几类应用:首先,作为去耦电容器,用于降低电源噪声并稳定电压,广泛应用于数字IC、微处理器和FPGA等电路中;其次,作为滤波电容器,用于去除高频噪声,提高信号质量,常见于射频和模拟电路中;此外,该电容器还可用于能量存储应用,例如DC-DC转换器和电源管理模块中,提供平稳的电压输出。由于其宽工作温度范围和高可靠性,PA4343.473NLT也常用于汽车电子系统、工业控制设备和医疗电子设备中,满足严格的环境和性能要求。
Kemet C4343X7R1H473M