型号：CBG453215U301T
　　制造商：Murata
　　类型：薄膜电容器
　　封装尺寸：4532（1812）
　　电容值：15pF
　　电容公差：±0.1pF
　　额定电压：100V DC
　　介质材料：SiO2基薄膜
　　温度系数：±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　等效串联电阻（ESR）：≤10mΩ
　　等效串联电感（ESL）：≤0.3nH
　　绝缘电阻：≥100GΩ·μF
　　耐电压：150V AC（1分钟）
　　老化率：≤0.1% / 1000小时

CBG453215U301T的核心优势在于其采用的先进薄膜技术，这种技术通过物理气相沉积（PVD）在高纯度陶瓷基板上形成均匀且致密的二氧化硅（SiO2）介质层，显著提升了介电性能的稳定性和一致性。由于SiO2材料本身具有极低的介质损耗角正切（tanδ < 0.0001），因此该电容器在高频应用中表现出色，即使在GHz频段也能维持接近理想的电容行为，避免了传统多层陶瓷电容器（MLCC）可能出现的非线性效应和微音效应。此外，其超低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）使得该器件在高速开关电路和射频匹配网络中能够有效减少能量损耗和信号失真，提升系统整体效率与信噪比。
　　另一个关键特性是其卓越的温度稳定性。CBG453215U301T的电容值随温度的变化率控制在±30ppm/°C以内，这一指标远优于C0G/NP0类MLCC（典型值为±30ppm/°C），在极端温度环境下仍能保持高度精确的电容值输出，适用于高精度定时电路、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）以及高稳定度滤波器等场合。同时，该器件具备优异的长期稳定性，老化率低于0.1%每1000小时，意味着在长时间运行过程中电性能衰减极小，大大增强了系统的可靠性和寿命。
　　结构方面，CBG453215U301T采用全密封薄膜结构设计，具备良好的防潮、抗腐蚀能力，能够在恶劣环境中长期稳定工作。其端电极经过特殊处理，兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS和REACH环保标准。此外，由于其对电压和频率的响应呈高度线性，不会出现电压系数导致的电容下降问题，特别适用于需要恒定电容特性的模拟前端和射频前端模块。综合来看，这款电容器代表了当前高频薄膜电容技术的高端水平，是替代传统云母电容和部分钽电容的理想选择。

CBG453215U301T主要用于对电容稳定性、频率响应和可靠性要求极高的高端电子系统中。在无线通信领域，它常用于基站射频模块中的阻抗匹配网络、带通滤波器和谐振电路，确保信号传输的高效与纯净。在测试与测量设备中，如矢量网络分析仪、频谱仪和高频示波器，该电容器作为参考元件用于校准电路，保障测量精度。此外，在航空航天和国防电子系统中，其高可靠性和宽温适应性使其成为雷达系统、卫星通信链路和导航设备中的关键组件。
　　在工业自动化和精密控制领域，CBG453215U301T被广泛应用于高精度传感器信号调理电路、锁相环（PLL）频率合成器和时钟发生器中，帮助维持系统时序的稳定性。在医疗电子设备，尤其是高频成像系统（如超声波探头驱动电路）中，其低噪声和高Q值特性有助于提升图像分辨率和系统灵敏度。此外，该器件也适用于高端音频设备中的模拟滤波电路，以实现更清晰的声音还原。
　　随着5G通信、毫米波雷达和物联网技术的发展，对小型化、高性能无源元件的需求日益增长，CBG453215U301T凭借其优异的高频特性和热稳定性，在新兴的高频模组和射频前端集成方案中发挥着重要作用。其稳定的电气性能还可用于DC-DC转换器的高频旁路和去耦，特别是在大电流、高开关频率的电源管理电路中，能有效抑制电压波动和电磁干扰，提高电源完整性。

CCG453215X301T
　　CGA453215U301T
　　CLG453215U301T