时间：2025/10/22 13:54:18
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M50FLW080BN5G是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的8Mbit（兆位）串行闪存芯片，采用SPI（Serial Peripheral Interface）通信协议，具备高性能、低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。该器件属于M50FLW系列，专为工业级应用设计，支持宽温度范围工作，适用于对环境适应性要求较高的场合。M50FLW080BN5G采用标准的8引脚封装（如SOIC或WSON），便于PCB布局和焊接，适合空间受限的设计。该芯片支持多种读写操作模式，包括标准SPI、双I/O和四I/O操作，显著提升了数据传输速率，满足高速代码执行和数据存储的需求。此外，它还集成了高级安全功能，例如软件和硬件写保护机制，防止意外或恶意修改存储内容，保障系统数据完整性。其内部结构由多个扇区组成，支持按扇区擦除和编程，提高了存储管理的灵活性。M50FLW080BN5G符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品制造。
容量：8 Mbit (1024 K × 8)
电压范围：2.7 V 至 3.6 V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-pin SOIC
接口类型：SPI, 支持 Dual I/O 和 Quad I/O
时钟频率：最高支持 85 MHz
写保护功能：有（WP# 引脚和软件保护）
保持功能：有（HOLD# 引脚）
擦除类型：扇区擦除、块擦除、整片擦除
编程方式：页编程（最大 256 字节/页）
写入耐久性：100,000 次编程/擦除周期
数据保存时间：超过 20 年
M50FLW080BN5G具备卓越的读写性能与灵活的操作模式，支持标准SPI以及Dual I/O和Quad I/O模式，能够在Quad I/O模式下实现高达340 Mbps的吞吐率，极大提升了系统启动速度和数据访问效率，特别适用于需要XIP（eXecute In Place）的应用场景，如工业控制器、网络设备和消费类电子产品中的固件存储。其内部组织为128个扇区，每个扇区64KB，同时支持更小粒度的32KB块和4KB子扇区擦除，使得用户可以根据实际需求进行精细的存储管理，减少不必要的擦除操作，延长器件寿命。该芯片内置状态寄存器，可用于监控编程和擦除操作的状态，并提供写保护锁定功能，防止关键区域被误改写。此外，M50FLW080BN5G支持深度掉电模式，在该模式下电流消耗可降至几微安级别，非常适合电池供电或对功耗敏感的应用。器件还具备上电复位（Power-on Reset）电路，确保在电源不稳定的情况下仍能可靠启动。为了增强系统可靠性，芯片集成了Vpp引脚用于快速编程电压检测，并支持ECC（错误校正码）机制以提高数据完整性。所有指令均通过SPI总线发送，指令集兼容JEDEC标准，方便与其他系统集成。整个设计遵循高可靠性制造工艺，经过严格测试，可在恶劣工业环境中稳定运行。
该器件还支持多种安全特性，包括软件和硬件写保护。通过设置状态寄存器中的BP位，可以对部分或全部存储阵列实施保护；而硬件写保护则通过WP#引脚控制，允许外部逻辑动态启用或禁用写入操作。这种双重保护机制有效防止了因系统异常或恶意攻击导致的数据损坏。此外，HOLD#引脚可在多设备共享SPI总线时暂停当前操作，避免通信冲突。M50FLW080BN5G还支持快速读取指令和连续读取模式，减少地址开销，提升连续数据流的传输效率。所有编程和擦除操作均在片内完成，无需外部高压支持，简化了电源设计。整体架构优化了噪声抑制和抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下依然稳定工作。
广泛应用于工业自动化控制系统、网络通信设备、路由器、交换机、打印机、医疗仪器、汽车电子模块以及消费类电子产品中，主要用于存储固件、引导代码、配置参数和用户数据等信息。其高速读取能力和XIP支持使其成为需要直接从闪存执行代码系统的理想选择。
M50FLW080BN5R,M50FLW080BN6T
