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IRFL024NTRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 8:51:14 查看 阅读:4

IRFL024NTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场合。
  该器件以低导通电阻和快速开关速度著称,能够在高频应用中提供较高的效率,并且具有出色的热稳定性和电气性能。

参数

型号:IRFL024NTRPBF
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装:SO-8
  最大漏源电压(Vdss):55V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):7.6A(在Ta=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):1.3W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C

特性

IRFL024NTRPBF具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
  3. 高击穿电压(55V),能够在较高电压环境下可靠运行。
  4. 低栅极电荷,有助于降低驱动损耗。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设计要求。
  这些特点使得IRFL024NTRPBF成为各种功率转换和控制应用的理想选择。

应用

IRFL024NTRPBF适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 各种负载切换应用。
  4. DC-DC转换器中的同步整流。
  5. 电池管理系统的充放电控制。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  由于其低导通电阻和高效率的特点,这款MOSFET非常适合需要高性能和低功耗的应用场景。

替代型号

IRLZ44N, FDN340P, AO3400A

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IRFL024NTRPBF参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFL024NTRPBF-NDIRFL024NTRPBFTR