IRFL024NTRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用SO-8封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率转换的场合。
该器件以低导通电阻和快速开关速度著称,能够在高频应用中提供较高的效率,并且具有出色的热稳定性和电气性能。
型号:IRFL024NTRPBF
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:SO-8
最大漏源电压(Vdss):55V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):7.6A(在Ta=25°C时)
导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):1.3W
工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
IRFL024NTRPBF具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速的开关速度,适合高频开关应用。
3. 高击穿电压(55V),能够在较高电压环境下可靠运行。
4. 低栅极电荷,有助于降低驱动损耗。
5. 良好的热稳定性,确保在高温环境下的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子设计要求。
这些特点使得IRFL024NTRPBF成为各种功率转换和控制应用的理想选择。
IRFL024NTRPBF适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 各种负载切换应用。
4. DC-DC转换器中的同步整流。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
由于其低导通电阻和高效率的特点,这款MOSFET非常适合需要高性能和低功耗的应用场景。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400A