类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：250V
　　最大漏极电流(ID)：76A
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为 0.035Ω
　　栅极阈值电压(VGS(th))：约 4.5V @ 250μA
　　最大功耗(PD)：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

IXTQ76N25T 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的高电流处理能力使其能够在高负载条件下稳定工作，同时其高耐压特性确保了在高压应用中的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。该封装还提供了足够的机械强度和热稳定性，适合在恶劣环境中使用。
　　IXTQ76N25T 还具备快速开关特性，使其适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。它还具有良好的抗雪崩能力和过载保护特性，增强了器件在极端工作条件下的稳健性。

IXTQ76N25T 广泛应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、UPS（不间断电源）、电机控制和工业自动化设备。
　　在开关电源中，该器件用于高效能功率转换，提高系统效率并减少发热；在 DC-DC 转换器中，它用于电压调节和能量传输；在逆变器中，该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器和电动车控制系统。
　　此外，该器件也适用于各种电机控制应用，如无刷直流电机（BLDC）驱动和伺服电机控制，提供高效的功率控制和稳定的性能。

IXFH76N25T, IRFP460LC, STP75NF25, FDPF76N25T