时间：2025/6/16 22:20:52
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RQK0604IGDQATL-E 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管。该器件采用先进的 GaN-on-Silicon 工艺，能够实现低导通电阻和快速开关性能，广泛适用于高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器等应用领域。
此型号特别设计用于提高电源系统的功率密度并降低能耗，其封装形式为小尺寸 QFN 封装，适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4A
导通电阻：160mΩ
栅极电荷：35nC
开关频率：最高可达 2MHz
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
RQK0604IGDQATL-E 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更少的能量损耗。
2. 支持高达 2MHz 的开关频率，适合高频应用场景。
3. 极低的栅极电荷，有助于减少驱动损耗。
4. 紧凑型 QFN 封装，便于系统集成。
5. 提供优异的热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
6. 内置 ESD 保护电路，增强可靠性。
这款 GaN 功率晶体管广泛应用于以下场景：
1. USB PD 充电器中的高效 AC-DC 转换。
2. 笔记本电脑和移动设备的快充适配器。
3. 数据中心电源模块，提升功率密度和效率。
4. LED 驱动电源及高效 DC-DC 转换器。
5. 无线充电器和物联网 (IoT) 设备的电源管理部分。
6. 激光雷达 (LiDAR) 系统中需要高频开关的应用。
RQK0604IGDQATM-E, RQK0604IGDQATP-E
