时间：2025/9/14 7:31:19
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PSMN6R5-80BS,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块、电池充电系统和工业控制设备等场景。该MOSFET采用TrenchMOS技术，提供更高的性能密度和更低的开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：150A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：6.5mΩ（最大值，在Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：LFPAK56（Power-SO8兼容）
功耗（Ptot）：120W
漏极电容（Coss）：约1500pF
栅极电荷（Qg）：约60nC
PSMN6R5-80BS,118 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，最大值仅为6.5毫欧姆，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，同时具备优异的热性能，可在高工作温度下保持稳定运行。
此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏源击穿电压为80V，能够承受较高的电压应力，适用于各种中高功率电源转换系统。其栅极氧化层设计可承受±20V的栅源电压，提高了抗过压能力并增强了系统可靠性。
封装方面，该器件采用LFPAK56封装，这是一种表面贴装（SMD）封装，具有良好的热管理性能和机械稳定性，适用于自动化生产流程，并且与标准的Power-SO8封装兼容，便于PCB布局设计和替换升级。
该MOSFET还具有较低的漏极-源极电容（Coss）和栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率，从而实现更高的系统效率和更小的外围元件尺寸。此外，其宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃）使其适用于各种恶劣工作环境。
PSMN6R5-80BS,118 广泛应用于多种高功率密度和高效率的电源系统中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机电源、工业自动化控制、服务器和通信设备电源模块等。
在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高侧和低侧开关，因其低Rds(on)和快速开关特性，能够有效提高转换效率并降低温升。在电池管理系统中，该器件适用于高电流充放电控制，具有良好的导通性能和热稳定性。
此外，该MOSFET也适用于高功率负载开关、电机驱动器和电源管理单元，特别是在需要紧凑设计和高效能的系统中表现优异。其LFPAK56封装形式适用于高密度PCB布局，并可与散热器配合使用以提高散热效率。
IPD65R065CFD
IRF1405
SiR178DP
