型号：2SJ194
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-60V
　　最大连续漏极电流（Id）：-5A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：-15A
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.07Ω（典型值，Vgs = -10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-2.0V ~ -4.0V
　　输入电容（Ciss）：450pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：130pF（典型值）
　　反向传输电容（Crss）：35pF（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220

2SJ194 P沟道MOSFET具备多项优异的电气与热力学特性，使其在多种开关与功率控制应用中表现突出。首先，其最大漏源电压为-60V，最大连续漏极电流可达-5A，适用于中等功率级别的电源系统。该器件的导通电阻Rds(on)在Vgs = -10V条件下仅为0.07Ω，这一低阻值有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效，特别适合对效率要求较高的便携式设备和电池供电系统。此外，其阈值电压范围为-2.0V至-4.0V，表明该器件可在相对较低的栅极驱动电压下实现有效导通，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需额外的电平转换电路，从而简化了驱动设计并降低了系统成本。
　　2SJ194具有良好的高频开关性能，得益于其较小的输入电容（Ciss = 450pF）、输出电容（Coss = 130pF）和反向传输电容（Crss = 35pF），这些参数有助于减小开关过程中的延迟和能量损耗，使器件适用于频率较高的DC-DC转换器和开关电源应用。同时，该器件具备较强的热稳定性，采用TO-220封装，具有较大的金属背板，便于安装散热片，有效将热量传导至外部环境，确保长时间运行下的可靠性。
　　在可靠性方面，2SJ194经过优化设计，具备一定的抗雪崩击穿能力和抗瞬态过压能力，能够在突发电压冲击下维持正常工作，延长使用寿命。其ESD防护能力也优于标准MOSFET，减少了因静电损伤导致的早期失效风险。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子和户外设备等多种严苛应用场景。综合来看，2SJ194凭借其低导通电阻、良好开关特性、宽温度范围和高可靠性，成为众多电源管理系统中理想的P沟道MOSFET选择。

2SJ194 P沟道MOSFET广泛应用于多种电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关和电机驱动中的关键元件。在DC-DC转换器中，该器件常用于同步整流或高端开关配置，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。在电池供电设备如笔记本电脑、移动电源和便携式仪器中，2SJ194可用于电池充放电管理电路或电源路径控制，实现高效的能量传递与系统节能。
　　在工业控制系统中，2SJ194可用于继电器驱动、电磁阀控制和小型电机驱动电路，作为功率开关元件实现对负载的精确控制。其P沟道特性使其特别适合用于高端开关应用，在此类电路中无需复杂的自举电路即可实现栅极驱动，从而简化设计并降低成本。此外，该器件也常见于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，用于直流侧的开关控制，确保系统在市电中断时能够平稳切换至备用电源。
　　在消费类电子产品中，2SJ194可用于LED驱动电路、电源适配器和家电控制模块，提供可靠的开关功能。其良好的热性能和宽工作温度范围也使其适用于汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块和灯光控制系统。总之，2SJ194凭借其稳定的性能和灵活的驱动方式，已成为多种中低功率开关应用中的优选器件。

2SJ201, 2SJ355, FQP27P06, IRF9540