DMP22D6UT 时间：2025/5/19 19:23:46 阅读：5

DMP22D6UT是来自Diodes Incorporated的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用DFN3030-10（SOT1213）封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种功率转换和负载开关应用。由于其紧凑的封装尺寸以及高效的电气性能，DMP22D6UT非常适合于空间受限的设计环境。

参数

最大漏源电压：45V
　　连续漏极电流：6.8A
　　导通电阻（典型值，Vgs=10V）：3.5mΩ
　　栅极电荷：17nC
　　工作结温范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：DFN3030-10

特性

DMP22D6UT拥有极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗并提升效率。此外，该器件还具备出色的热性能，在高功率密度的应用中表现出色。
　　它采用了DFN3030-10封装，这种无引线封装有助于减少寄生电感，并且可以提高电路板的布局灵活性。
　　DMP22D6UT支持快速开关操作，这得益于其较小的栅极电荷和输出电容，使得它成为高频功率转换应用的理想选择。
　　同时，该器件在高温环境下仍能保持稳定运行，适合工业级或汽车级应用需求。

应用

DMP22D6UT广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电池保护电路以及电机驱动等领域。
　　由于其出色的电气特性和紧凑的封装设计，这款MOSFET特别适合于消费类电子设备中的电源管理单元，例如智能手机充电器、平板电脑适配器以及便携式音频设备等。
　　此外，它也可以用于网络通信设备、物联网终端以及其他需要高效功率管理的场景。