类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　集电极最大持续电流（IC）：150mA
　　峰值集电极电流（ICM）：200mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：100 ~ 400
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　增益带宽积：250MHz
　　输入电容（Cib）：约4pF
　　输出电容（Cob）：约2pF

2STC4468B具备出色的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）达到250MHz，使其能够在高频放大电路中实现优异的信号放大性能。这一特性使得该晶体管非常适合用于射频前端模块、小信号放大器以及高速开关电路中。由于其较低的输入和输出电容（Cib约为4pF，Cob约为2pF），器件在高频下的容抗较小，能够有效减少信号衰减和相位失真，提升系统的整体频率响应一致性。
　　该晶体管具有较宽的直流电流增益范围（hFE为100至400），这表明其在不同工作电流下均能保持较高的放大倍数，适用于需要稳定增益特性的模拟电路。同时，这种增益分布经过严格筛选，保证了批次间的一致性，有利于批量生产时的电路稳定性控制。此外，2STC4468B的低噪声系数使其在微弱信号放大场合表现出色，例如在无线接收机的低噪声放大级中可有效提升信噪比。
　　从结构上看，2STC4468B采用SOT-23小型表面贴装封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并支持自动化贴片工艺，提高了生产效率。该封装还具备良好的散热性能，在正常工作条件下无需额外散热措施即可满足大多数应用场景的需求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，说明其可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业级和部分汽车电子应用。
　　在电气安全方面，2STC4468B的集电极-发射极击穿电压为30V，集电极最大持续电流为150mA，最大功耗为200mW，这些参数使其适用于低压、低功耗系统，如便携式电子设备、电池供电装置和嵌入式控制系统。其快速开关特性得益于较低的载流子存储时间和优化的基区设计，能够在数字逻辑电路中实现快速导通与关断，降低开关损耗，提高系统效率。

2STC4468B广泛应用于需要高频放大或高速开关功能的电子电路中。常见用途包括射频（RF）小信号放大器，特别是在UHF频段的无线通信模块中，如FM收音机前端、无线遥控接收器、蓝牙模块和ZigBee射频前端等。由于其高fT值和低输入电容，能够在数百兆赫兹频率下保持良好增益，因此是射频放大链路中理想的前置放大器件。
　　在音频处理电路中，2STC4468B可用于构建低噪声前置放大器或音频信号缓冲级，其较高的hFE和较低的噪声水平有助于提升音质清晰度和动态范围。此外，它也可用于有源滤波器、振荡器和调制解调电路中，发挥其线性放大优势。
　　在数字电路领域，该晶体管常被用作电平转换器、驱动晶体管或逻辑门开关元件，尤其适用于驱动LED、继电器、小型蜂鸣器或其他负载的低功率开关应用。其快速响应能力和较高的电流增益使其在微控制器输出扩展电路中非常实用。
　　其他典型应用场景还包括传感器信号调理电路、电源管理中的稳压反馈控制环路、DC-DC转换器的开关驱动级，以及各种消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表和物联网设备中的模拟接口电路。凭借其紧凑的SOT-23封装和可靠的电气性能，2STC4468B已成为现代小型化电子系统中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "MMBT3904",
　　 "BC847B",
　　 "2N3904",
　　 "FMMT217",
　　 "KSC1845"
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