制造商：Panasonic
　　芯片类型：CMOS SRAM
　　存储容量：64位（16 x 4）
　　电源电压：5V ±10%
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装形式：DIP-16
　　访问时间：约 200ns（典型值）
　　输入电平兼容性：TTL 兼容
　　功耗：低功耗 CMOS 设计，静态电流约几微安
　　使能控制：片选（CS）、写使能（WE）双控制信号
　　数据输入/输出：I/O0-I/O3（双向）
　　地址输入：A0-A3（4位地址线）

LC74189 的核心特性之一是其基于 CMOS 技术构建的静态存储单元，这使得它在保持数据时无需像动态RAM那样进行周期性刷新，从而简化了系统设计并降低了功耗。每个存储单元由交叉耦合的反相器构成，形成一个稳定的双稳态电路，能够长期保持逻辑状态，只要电源持续供电。这种静态特性使其非常适合用于需要稳定、可靠短期存储的应用场景，例如微控制器系统中的寄存器备份或状态暂存。
　　另一个关键特性是其 TTL 电平兼容性。尽管 LC74189 采用 CMOS 工艺制造，但其输入端经过设计可与标准 TTL 逻辑电平直接接口，这意味着它可以无缝集成到以 74LS 系列逻辑器件为主的数字系统中，无需额外的电平转换电路。这一兼容性大大增强了其在混合逻辑系统中的适用性，尤其是在早期计算机和工业控制板中。
　　LC74189 提供了清晰的控制信号接口，包括片选（CS）和写使能（WE）两个独立的控制引脚。当 CS 有效（低电平）且 WE 为高电平时，执行读操作，数据通过 I/O 引脚输出；当 CS 和 WE 均为低电平时，执行写操作，将输入数据写入指定地址。这种两线控制机制使得读写时序易于理解和实现，非常适合教学用途。此外，所有未选中的地址在 CS 无效时均处于高阻态，避免了总线冲突。
　　该芯片还具备良好的抗噪声性能和宽电源电压容忍能力（通常支持 4.5V 至 5.5V），在电源波动较大的环境中仍能稳定运行。虽然其存储密度较低，但在多芯片扩展应用中可通过并行连接多个 LC74189 来构建更宽的数据总线（如 8 位或 16 位系统），体现了其在模块化设计中的灵活性。

LC74189 最初被广泛应用于早期的微处理器开发系统中，作为地址寄存器或状态标志存储单元。例如，在基于 Intel 8085 或 MOS 6502 的实验板中，LC74189 常用于实现简单的数据缓冲或程序状态存储，帮助开发者调试指令执行流程。由于其引脚排列清晰、时序简单，它也成为数字电子课程中的经典教学元件，用于演示 RAM 的基本读写操作、地址译码逻辑以及总线驱动概念。
　　在计算器和小型嵌入式控制器中，LC74189 被用作临时变量存储器，保存中间计算结果或用户输入数据。其低功耗特性使其适用于电池供电设备，而静态保持能力确保关机前的状态不会丢失（只要电源未切断）。此外，在一些工业控制面板中，该芯片用于存储配置参数或运行模式设置，配合简单的微控制器实现自动化逻辑。
　　如今，LC74189 已不再用于商业产品设计，但由于其历史意义和技术代表性，仍活跃于复古计算项目、FPGA软核配套外设模拟以及电子爱好者自制计算机项目中。许多开源硬件项目使用 LC74189 的功能模型来构建16位地址空间的小型内存子系统，帮助学习者理解冯·诺依曼架构下的内存组织方式。同时，它也被用于测试数字逻辑分析仪的读写波形捕捉能力，作为基准信号源。

74S189