IR3T47GA 时间：2025/8/27 19:49:07 阅读：4

IR3T47GA 是由 Infineon（英飞凌）生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能、高频率的电源转换应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优秀的热性能，适用于如电源供应器、DC-DC 转换器、电机驱动和电池管理系统等应用。IR3T47GA 具有高耐压能力，适用于需要稳定性和高效率的工业和消费类电子设备。

参数

类型：功率 MOSFET
　　技术：沟槽型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：15A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.47Ω
　　栅极电荷（Qg）：34nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220
　　安装方式：通孔安装

特性

IR3T47GA MOSFET 采用英飞凌的沟槽技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优化的开关损耗，从而提高了整体效率。该器件的漏源电压为 600V，适用于高电压应用，并能够在高工作温度下保持稳定性能。其导通电阻仅为 0.47Ω，有助于降低功率损耗，提高系统效率。
　　此外，IR3T47GA 具有较强的热稳定性和较高的电流承受能力，适合用于需要持续高功率运行的系统中。其 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能，便于在 PCB 上安装和使用。该器件还具有良好的短路耐受能力，可在恶劣工作条件下保持可靠运行。
　　IR3T47GA 的栅极电荷为 34nC，确保在高频开关应用中具备较低的驱动损耗。这使得该 MOSFET 成为电源转换器、马达控制器和电池管理系统中的理想选择。此外，其封装设计具有良好的机械强度和耐腐蚀性，能够适应多种工作环境。

应用

IR3T47GA 广泛应用于多种电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、马达控制器、电池管理系统以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其非常适合用于高效率的电源管理应用。
　　在电源供应器中，IR3T47GA 可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器或主开关，提升转换效率并降低功耗。此外，它还可用于马达控制电路中，提供稳定的功率输出并提升整体系统效率。
　　在电池管理系统中，IR3T47GA 可用于充放电控制电路，确保电池组的安全运行。由于其高可靠性和良好的热性能，该 MOSFET 也常用于需要长时间运行的工业设备和高要求的消费电子产品中。