时间：2025/12/26 12:22:45
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DDZ4V7ASF-7是一种表面贴装齐纳二极管，由Diodes Incorporated生产，标称齐纳电压为4.7V，适用于精密稳压和电压参考应用。该器件采用SOD-323小型封装，具有较小的尺寸和轻质特点，非常适合空间受限的便携式电子设备。其主要设计目的是在反向击穿区域稳定工作，提供恒定的电压输出，即使输入电流在一定范围内波动，也能保持电压基本不变。DDZ4V7ASF-7具备良好的温度稳定性和低动态阻抗，确保在不同环境条件下仍能维持较高的稳压精度。该齐纳二极管广泛用于电源管理、信号电平转换、过压保护以及模拟电路中的基准电压源等场景。其制造工艺符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，适合在工业控制、消费电子和汽车电子等多种环境中使用。此外，该器件无铅且符合RoHS环保要求，支持回流焊工艺，便于自动化贴片生产。
型号：DDZ4V7ASF-7
类型：齐纳二极管
封装：SOD-323
齐纳电压（Vz）：4.7V @ 5mA
最大耗散功率：200mW
测试电流（Iz）：5mA
最大齐纳阻抗（Zzt）：85Ω
漏电流（Ir）：1μA @ 1V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
极性：单齐纳
DDZ4V7ASF-7齐纳二极管具备优异的电气性能和稳定性，能够在宽温度范围内提供精确的4.7V稳压输出。其核心特性之一是低动态阻抗，在额定测试电流5mA下，最大齐纳阻抗仅为85Ω，这意味着当负载或输入电流发生微小变化时，输出电压的波动非常小，从而保障了系统工作的稳定性。这种低阻抗特性对于需要高精度电压参考的应用尤为重要，例如在ADC或DAC的偏置电路中，可有效减少噪声对转换精度的影响。
该器件采用先进的半导体制造工艺，确保了齐纳电压的高度一致性与批次稳定性。在标准测试条件下，其标称电压为4.7V，容差控制良好，典型应用中无需额外校准即可满足大多数设计需求。同时，其漏电流极低，在反向电压低于击穿电压1V时，漏电流不超过1μA，这有助于降低待机功耗，特别适用于电池供电设备。
DDZ4V7ASF-7的SOD-323封装不仅体积小巧（约1.7mm x 1.25mm），还具备良好的散热性能，可在高达150°C的结温下长期工作。该器件通过AEC-Q101认证，表明其在高温、高湿、热冲击和机械振动等严苛环境下仍能保持可靠运行，因此不仅适用于消费类电子产品，也可用于汽车电子中的传感器模块或车身控制单元。
此外，该器件符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，并支持无铅回流焊接工艺，兼容现代SMT生产线。其200mW的最大功耗允许在合理散热条件下提供稳定的电流驱动能力，适用于小信号级别的稳压任务。总体而言，DDZ4V7ASF-7是一款高性能、高可靠性的小功率齐纳二极管，兼顾精度、稳定性和环保要求，是现代电子设计中理想的电压钳位与参考元件。
DDZ4V7ASF-7广泛应用于需要稳定4.7V参考电压的电子电路中。常见用途包括电源电压钳位、ESD保护电路中的辅助稳压、逻辑电平转换接口的偏置设置以及模拟前端电路的基准源。在微控制器系统中，可用于复位电路的电压检测节点，确保系统在电源上电或跌落时能可靠复位。此外，它也常用于传感器信号调理电路中，为运算放大器提供稳定的偏置电压，提升测量精度。由于其小型化封装和高可靠性，该器件特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网终端、车载电子模块以及工业传感器等紧凑型电子产品。
BZT52C4V7S-7-F
PME4V7A,115
MMBZ5230BLF
