IW416UK/A1CZ是一款由Power Integrations推出的集成式离线反激控制器芯片,专为高性能、高效率的电源转换应用而设计。该芯片集成了高压功率MOSFET和控制器,适用于充电器、适配器、LED驱动电源等应用。IW416UK/A1CZ支持准谐振(Quasi-Resonant)工作模式,能够在不同负载条件下实现高效能转换,同时具备出色的电磁干扰(EMI)性能。该芯片还集成了多种保护功能,如过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)和过热保护(OTP),确保系统在各种异常条件下都能安全运行。
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 150°C
最大输出功率:约15W
输入电压范围:85VAC 至 265VAC
输出电压调节精度:±5%
开关频率:可变频率,最高可达100kHz
待机功耗:小于100mW
集成MOSFET耐压:725V
IW416UK/A1CZ采用Power Integrations的InnoSwitch?技术,具备高度集成的设计特点,将高压MOSFET、PWM控制器以及次级侧反馈机制集成于单一芯片中,从而显著减少了外围元件数量,降低了设计复杂度。
该芯片支持准谐振运行模式,可在不同负载条件下实现零电压开关(ZVS),从而降低开关损耗,提高整体转换效率。同时,准谐振模式也有助于减少高频噪声,改善EMI性能,简化滤波电路设计。
IW416UK/A1CZ具备出色的动态响应能力,能够快速适应负载变化,确保输出电压稳定。其内部集成的同步整流控制器可驱动外部同步整流MOSFET,进一步提升效率,特别是在低压大电流输出应用中效果显著。
在保护功能方面,IW416UK/A1CZ具备全面的安全机制,包括过载保护、过压保护、欠压锁定和过热保护。这些保护功能在异常情况下自动启动,确保系统安全运行,延长产品使用寿命。
此外,该芯片支持多种工作模式,如连续导通模式(CCM)和断续导通模式(DCM),适用于不同功率等级和拓扑结构的设计需求。其高集成度和灵活的控制策略使其成为高性能电源设计的理想选择。
IW416UK/A1CZ广泛应用于各类中小功率的开关电源系统中,如智能手机充电器、平板电脑适配器、LED照明驱动电源、家电电源模块、工业控制电源以及IoT设备供电系统等。其高效率、小体积和强稳定性使其特别适用于需要紧凑设计和高可靠性的现代电子产品中。
U6288E, InnoSwitch3系列芯片如INN3670C、INN3672C