类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：70V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：12A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值12.5mΩ（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：44W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8双侧散热

VBE5512N07 MOSFET具有多项显著的技术特性，首先是其低导通电阻，典型值仅为12.5mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用TrenchFET技术，使得在相同封装尺寸下实现更高的电流承载能力，从而提升功率密度。此外，VBE5512N07支持±20V的栅源电压，提供了更宽的驱动电压范围，增强了设计灵活性。
　　该MOSFET的封装采用PowerPAK SO-8双侧散热设计，具有良好的热性能，能够有效降低工作温度，延长器件寿命。其最大连续漏极电流为12A，在TC=25°C条件下，能够在高负载情况下稳定运行。VBE5512N07还具备快速开关特性，减少开关损耗，进一步提升系统效率。
　　该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，其工作温度范围为-55°C至175°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境。VBE5512N07还具备较高的抗雪崩能力和过热保护功能，确保在异常工作条件下也能保持可靠性。

VBE5512N07广泛应用于各种电源管理系统和功率转换设备中，包括但不限于同步整流电路、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。由于其高效率和高功率密度的特性，也常用于服务器电源、通信设备、便携式充电设备以及工业自动化控制系统。
　　在同步整流电路中，VBE5512N07可以替代传统二极管进行高效整流，显著降低压降和功耗。在DC-DC转换器中，该器件能够实现高频率开关操作，减小电感和电容的尺寸，提升整体系统效率。作为负载开关使用时，VBE5512N07可以实现快速的通断控制，保护后级电路免受过流或短路损害。在电机控制应用中，其低导通电阻和高电流能力使其适用于H桥驱动和PWM控制。

Si4410BDY-T1-GE3, IPD90P03P4-03, FDS4410AS