类型：MOS FET继电器（单常开）
　　通道数：1
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　输出连续通态电流（IO）：300 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 8 Ω，最大值 12 Ω
　　关断状态漏电流（IDOFF）：最大 1 μA
　　导通电容（CT）：典型值 7 pF
　　关断状态电容（COFF）：典型值 7 pF
　　开启时间（tON）：典型值 0.2 ms
　　关断时间（tOFF）：典型值 0.2 ms
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：LSOP-4（超薄小外形封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G3VM-351GL的核心特性之一是其极低的导通电容和关断状态电容，典型值仅为7pF，这使得它在高频信号切换和精密模拟信号路径中表现优异。低电容意味着在高速开关过程中对信号的干扰最小化，能够有效减少串扰和信号延迟，特别适用于自动测试设备（ATE）、数据采集系统和多路复用器等要求高保真信号传输的应用场景。同时，这种低电容特性也提升了系统的响应速度，使器件能够在纳秒级的时间尺度内完成状态切换，满足现代高速电子系统的需求。
　　另一个显著特点是其低导通电阻，典型值为8Ω，最大不超过12Ω。这一性能保证了在导通状态下电压降较小，能量损耗低，从而提高了整体系统的效率，并减少了热积累问题，尤其适合电池供电或对功耗敏感的便携式设备。此外，低RON有助于保持信号完整性，避免因压降引起的信号失真，确保被切换的模拟或数字信号准确无误地传递到下游电路。
　　该器件采用光控MOSFET技术，利用输入侧LED发出的光触发输出侧的MOSFET导通，实现完全的电气隔离。其隔离电压高达5000Vrms，可在恶劣电磁环境中提供可靠的绝缘保护，防止高压窜入控制侧造成损坏。由于没有机械运动部件，G3VM-351GL不会出现触点磨损、弹跳或氧化等问题，因此具有远超传统电磁继电器的寿命，通常可达数十亿次操作循环，极大降低了维护成本和系统停机风险。
　　响应速度快也是其重要优势之一，开启和关断时间均典型为0.2ms（即200μs），远快于常规电磁继电器的毫秒级响应，适合需要频繁切换的应用。此外，器件支持直流负载切换，可用于控制传感器、逻辑电路、小功率执行机构等多种负载类型。其表面贴装封装不仅节省空间，还便于自动化生产，提升组装效率。综合来看，G3VM-351GL是一款高性能、高可靠性、小型化的固态继电器解决方案，适用于追求高效、稳定和小型化设计的现代电子系统。

G3VM-351GL广泛应用于需要高速、低噪声、高精度信号切换的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和半导体测试仪中，该器件用于多路复用器和开关矩阵，实现对多个待测器件（DUT）的快速、精准信号路由，得益于其低导通电容和低导通电阻，可最大限度减少测试误差和信号衰减，提高测试重复性和准确性。在数据采集系统（DAQ）中，G3VM-351GL常用于模拟输入通道的选择，确保从不同传感器获取的微弱信号在传输过程中不受干扰，保持高信噪比和线性度。
　　在工业自动化控制系统中，该继电器可用于PLC模块、I/O扩展单元或现场信号调理电路中，实现对低功率负载如传感器、指示灯或逻辑电平的远程控制。由于其无触点设计和高抗振性，特别适合在振动强烈或环境恶劣的工厂环境中长期运行。在通信设备中，G3VM-351GL可用于射频或中频信号路径的切换，例如在无线基站或多通道收发器中作为天线开关或滤波器选择开关，其低电容特性有助于维持信号完整性，降低插入损耗。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备，如病人监护仪、便携式诊断设备等，这些设备要求高安全性和稳定性，G3VM-351GL提供的高隔离电压和低漏电流可有效保障患者安全。在消费类电子产品中，尤其是高端音频设备或精密测量仪器中，也可用于音量控制、输入源切换等功能模块，以实现静音切换和无点击噪声操作。总之，凡是对开关速度、信号保真度、可靠性和寿命有较高要求的应用，G3VM-351GL都是理想的选择。

G3VM-21LR, G3VM-61GL, CPC1017N, TLP3545A