类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：150A（在TC=25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：280W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PG-HSOF-8（也称为SuperSO8）

IR3P76具有多项优异的电气和热性能，使其在高性能电源设计中表现出色。首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，减少了导通损耗，提高了整体效率。其次，OptiMOS?技术提供了优异的开关性能，降低了开关损耗，并支持高频操作，从而可以使用更小的外围元件，提高系统功率密度。
　　该器件采用SuperSO8封装，具有良好的散热性能，能够有效降低热阻，确保在高电流工作条件下的稳定性。此外，IR3P76的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，适用于高频率PWM控制应用。
　　该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过电压情况下的可靠性。其栅极氧化层设计具有高耐用性，可承受频繁的开关操作和电压应力，确保长期运行的稳定性。此外，IR3P76在不同温度下的RDS(on)变化较小，保证了在高温环境下依然保持较低的导通损耗。

IR3P76广泛应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中。常见的应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源设备以及工业自动化控制系统。其优异的导通和开关性能使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择。
　　在服务器和通信设备的电源系统中，IR3P76可用于高侧或低侧开关，提高能效并降低散热需求。在电机控制应用中，其低RDS(on)和高电流能力使其适用于H桥驱动和高精度PWM控制。此外，该器件也适用于电池保护电路，能够在高电流放电或短路情况下快速断开电路，保障系统安全。

IPB013N06N3 G|IRFB3006|IRF6718|BSC050N06LS