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IRF7466TR 发布时间 时间:2025/4/28 20:04:22 查看 阅读:1

IRF7466TR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-252 (DPAK) 封装。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效功率管理的理想选择。
  IRF7466TR的设计目标是提供较低的导通电阻以减少功耗并提高效率,同时具备较高的开关速度以适应高频应用环境。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:8.5mΩ
  总栅极电荷:17nC
  开关时间:开通延迟时间:12ns,关断传播时间:16ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF7466TR具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于降低导通损耗,从而提高系统整体效率。
  2. 高额定电流支持大功率应用,满足多种工业及消费类电子需求。
  3. 快速开关性能确保在高频条件下维持高效的能量转换。
  4. TO-252封装形式紧凑且易于安装,适用于表面贴装技术(SMT)。
  5. 广泛的工作温度范围使该器件能够在恶劣环境下可靠运行。

应用

IRF7466TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),用于实现高效能量转换。
  2. DC-DC转换器,在汽车电子和通信设备中提供稳定的直流电压输出。
  3. 电机驱动电路,适用于家用电器、工业自动化和电动工具。
  4. 负载开关,用于保护下游电路免受过流或短路影响。
  5. 其他需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRF7467TR, IRF7468TR

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IRF7466TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.5 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2100pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)