类型：DRAM
　　容量：2GB
　　接口：HBM2
　　数据速率：2.4Gbps
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：1024
　　工作电压：1.3V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　带宽：约307GB/s（具体取决于系统配置）

H5TQ2G43EFR的主要特性包括高带宽、低延迟和紧凑的封装设计。其高带宽特性得益于HBM2技术，该技术允许在同一封装内堆叠多个存储芯片，并通过TSV技术实现芯片间的直接连接，从而显著减少信号路径长度并提高数据传输效率。
　　此外，该芯片采用低功耗设计，工作电压仅为1.3V，适合需要高性能但对功耗敏感的应用场景。其紧凑的封装形式（FBGA，1024引脚）也有助于节省PCB空间，提高系统的集成度。
　　在可靠性方面，H5TQ2G43EFR支持宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级和高端消费类电子产品。同时，其先进的制造工艺和优化的电路设计确保了稳定的数据存储和快速的访问响应，适用于需要长时间高负载运行的高性能计算设备。

H5TQ2G43EFR广泛应用于需要高带宽内存的高性能系统中，例如图形处理单元（GPU）、人工智能加速器（AI Accelerators）、高性能计算（HPC）系统、数据中心加速卡以及高端游戏显卡等。在这些应用中，内存带宽是系统性能的关键因素之一，而H5TQ2G43EFR能够提供远超传统GDDR5或DDR4内存的带宽表现，从而显著提升计算效率和图形渲染能力。
　　此外，该芯片也适用于某些高端FPGA（现场可编程门阵列）和网络处理器，这些设备通常需要快速访问大量数据。H5TQ2G43EFR的高密度和低延迟特性使其成为这些应用场景中的理想选择。

H5TQ2G43AFR, H5TQ1G63AMR, H5TQ2G63AFR