型号：2SC4868-4-TB
　　类型：NPN Bipolar Transistor
　　封装形式：S-Mini
　　极性：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件：VCE = 6V, IC = 5mA）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.3V（典型值，IC = 50mA, IB = 5mA）
　　小信号电流增益带宽积：80MHz
　　热阻（Rth(j-a)）：625°C/W（典型值）

2SC4868-4-TB具备优异的高频响应能力，其过渡频率（fT）高达80MHz，使其在中高频信号放大电路中表现卓越，尤其适用于射频前端模块、FM收音机、无线遥控和小型无线数据传输系统中的小信号放大。该晶体管在低偏置电流下仍能维持较高的直流电流增益（hFE），典型值范围为70至700，这使得它可以在多种偏置条件下灵活配置，适应不同的电路设计需求。
　　该器件采用S-Mini小型表面贴装封装，具有较小的占位面积和较低的寄生参数，有助于提升高频电路的稳定性，并减少PCB布局对性能的影响。其封装结构还具备良好的散热性能，结合合理的PCB铜箔设计，可有效降低结温上升，提高长期运行可靠性。
　　2SC4868-4-TB的电气特性在宽温度范围内保持稳定，工作结温可达+150°C，适用于工业环境下的严苛条件。同时，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中能够减少导通损耗，提高能效。其集电极-基极击穿电压（VCBO）为70V，提供了足够的电压裕量，防止瞬态过压导致器件损坏。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试，具备抗静电能力较强、漏电流低、噪声系数较低等特点，适用于对信号完整性要求较高的模拟放大电路。由于其符合RoHS指令且支持无铅回流焊工艺，因此广泛应用于现代环保型电子产品制造中，是替代传统TO-92封装晶体管的理想选择之一。

2SC4868-4-TB广泛应用于便携式音频设备中的前置放大电路，例如MP3播放器、蓝牙耳机和小型扬声器系统，用于增强微弱音频信号。在无线通信领域，该晶体管可用于UHF/VHF频段的小信号放大器、天线前置放大器和无线遥控接收模块，发挥其高增益和良好噪声特性的优势。
　　此外，该器件也常见于各类消费类电子产品中的开关控制电路，如LED驱动、继电器驱动和电源管理单元，利用其快速开关能力和低饱和压降实现高效控制。在工业自动化设备中，2SC4868-4-TB可用于传感器信号调理电路，将微弱的感应信号进行初步放大处理。
　　由于其小型化封装特性，该晶体管特别适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的高密度组装场景。同时，也可作为通用放大器或缓冲器用于运算放大器前级、振荡电路和谐振放大电路中，提供稳定的增益表现。在教育实验和原型开发中，因其参数明确、性能稳定，常被用作教学示范和电路验证的首选器件之一。