时间：2025/9/2 3:38:30
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H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 是由SK Hynix生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其H9系列的一部分。这款DRAM芯片设计用于满足现代计算设备对高速数据处理和大容量内存的需求。它通常用于高端计算机、服务器、图形加速卡和其他需要高性能内存的电子设备。该芯片采用先进的封装技术和内存架构，提供优异的稳定性和数据传输性能。此外，H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 还具备低功耗特性，使其适用于对能效要求较高的应用。
品牌：SK Hynix
产品系列：H9系列
芯片类型：DRAM
内存类型：LPDDR4X
容量：8Gb
数据速率：4266 Mbps
工作电压：1.1V
封装类型：BGA
引脚数：153-Pin
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
工艺技术：1ynm工艺
数据宽度：16位
时钟频率：2133MHz
封装尺寸：9.5mm x 13.5mm
H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 采用先进的LPDDR4X技术，提供极高的数据传输速率，支持高达4266 Mbps的数据速率，显著提升了系统性能。与前一代LPDDR4相比，LPDDR4X在电压方面进一步降低至1.1V，从而减少了功耗并提高了能效，特别适用于对能耗敏感的设备。这款DRAM芯片还采用了1ynm工艺制造，提高了集成度和稳定性，同时减少了芯片的尺寸和功耗。其153-Pin BGA封装形式不仅节省空间，还增强了电气性能和散热能力，确保在高负载下依然保持稳定运行。此外，该芯片支持宽温度范围（-40°C至+85°C），适合工业环境下的应用。
H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 提供16位的数据宽度，使得其在多任务处理和大数据传输场景中表现优异。其高带宽和低延迟特性使其成为图形处理、AI计算和高性能计算应用的理想选择。该芯片还集成了先进的错误校正技术（ECC），提高了数据完整性，减少了数据传输错误，从而提升了系统的可靠性。此外，它支持多种刷新模式和自刷新功能，有助于优化功耗管理，延长设备的电池寿命。这些特性使得H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 成为高端计算设备和嵌入式系统的优选内存解决方案。
H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 被广泛应用于需要高性能内存的设备，包括高端智能手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器、图形显卡以及AI加速器。此外，它也适用于工业控制系统、网络设备和高端嵌入式系统，特别是在需要高速数据处理和大容量内存的应用场景中。例如，在人工智能和机器学习领域，该芯片能够提供足够的带宽和低延迟，以支持复杂的计算任务。在游戏和图形处理领域，H9CKNNNBPTMRLR-NTHR 可以显著提升图像渲染速度和系统响应能力。
H9HCNNNCEUMUDR-N2DM, H9HPNNNCAVAR1R-N2DM
