工作频率：1.8 - 2.2 GHz
　　输出功率：22 W（连续波）
　　增益：约13 dB
　　效率：超过60%
　　电源电压：28 V
　　封装形式：表面贴装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QPA1022D 采用先进的 GaN 技术，具有卓越的功率密度和热管理性能，能够在高功率水平下保持稳定运行。其高效率特性可有效降低系统功耗并减少散热需求，适合高密度部署环境。此外，该器件具备出色的线性度，适用于对信号保真度有严格要求的通信系统。
　　该芯片还具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应严苛的工业和军事环境。其封装设计支持高效的散热管理，确保长时间运行的稳定性。QPA1022D 的输入和输出匹配网络已经内部优化，简化了外部电路设计，降低了系统复杂度和成本。
　　QPA1022D 支持多种调制方式，包括QAM、OFDM等，适用于现代无线通信标准，如WiMAX、LTE和5G前传网络。其优异的性能使其成为高性能射频系统设计的理想选择。

QPA1022D 主要用于无线通信基础设施中的基站和中继设备，特别是在需要高功率和高效率的场景中，如蜂窝通信、WiMAX、雷达和测试设备。此外，它也可用于军事通信、电子战系统以及航空航天领域的射频发射模块。
　　在5G网络部署中，QPA1022D 可作为远程射频头或分布式基站的功率放大器模块，提供稳定可靠的射频输出。在测试与测量设备中，该器件可用于构建高性能信号发生器和频谱分析仪。其广泛的应用领域还包括卫星通信、广播系统以及工业自动化控制系统。

QPA1018D, QPA1019D, TGA2583-SM, CGH40025