NJX3560 时间：2025/7/25 23:19:22 阅读：5

NJX3560 是一款由 NJ Semiconductor（新进半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池供电设备等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于中高功率的开关应用。NJX3560 通常采用 TO-252（DPAK）或 TO-263（D2PAK）等表面贴装封装形式，便于散热和自动化生产。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在 Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）或 TO-263（D2PAK）

特性

NJX3560 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其导通电阻通常在 3.5mΩ 左右，远低于同类产品，有助于减少发热并提升整体性能。
　　该器件采用了先进的沟槽式栅极结构技术，提升了单位芯片面积内的载流能力，从而实现了更高的电流密度。此外，NJX3560 具有出色的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　NJX3560 还具备良好的抗雪崩能力和过载保护性能，能够在瞬态过电压和短路条件下保持稳定运行。其快速开关特性有助于降低开关损耗，提高转换效率，特别适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　封装方面，NJX3560 提供 TO-252 和 TO-263 等表面贴装形式，便于自动化装配和良好的散热性能，适用于高功率密度设计。

应用

NJX3560 常用于各种高功率和高效率的电子系统中，例如 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业自动化设备、汽车电子系统（如车载充电器和电机控制）等。
　　在电源管理系统中，NJX3560 可作为主开关元件，用于高效能的电压调节和能量转换。在电机驱动应用中，该器件可提供高电流输出能力，确保电机平稳运行。此外，NJX3560 的高可靠性和耐高温特性也使其非常适合用于严苛环境下的工业控制和汽车电子系统。
　　由于其低导通电阻和高效率特性，NJX3560 在高密度电源模块和嵌入式系统中也得到了广泛应用，例如通信设备、医疗仪器和便携式电子设备中的电源管理单元。