类型：半桥栅极驱动器
　　通道类型：高边/低边驱动
　　输入逻辑类型：CMOS/TTL兼容
　　工作电压（VDD）：10 V 至 20 V
　　最大峰值输出电流：±640 mA（典型值）
　　高端浮动电压范围：-5 V 至 +600 V
　　低边参考电压范围：-5 V 至 +20 V
　　传播延迟时间：典型值约500 ns
　　上升时间（typ）：40 ns（1000 pF负载）
　　下降时间（typ）：30 ns（1000 pF负载）
　　死区时间：内置固定死区控制以防止直通
　　静态电流（ICC）：小于250 μA（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　关断状态输入电流：±100 nA（最大值）
　　输出源电流/灌电流能力：平衡驱动结构
　　自举二极管：内部集成（部分版本）或需外接
　　封装类型：SOIC-8（表面贴装）

IR2308S具备多项关键特性，使其成为高性能功率驱动应用的理想选择。首先，其高噪声免疫能力得益于先进的电平移位技术和优化的内部电路布局，能够在高dV/dt瞬态环境下稳定工作，避免高端驱动信号因电压突变而发生误触发。其次，该芯片内置的欠压锁定（UVLO）电路对高低边电源分别进行监测，确保只有在电源电压达到规定阈值后才允许输出导通，从而防止低电压条件下MOSFET未完全开启而导致的过热或损坏。这一双重UVLO机制提升了系统的启动安全性和运行可靠性。
　　此外，IR2308S采用了高效的电荷泵架构用于高端驱动的自举供电，使得即使在占空比变化较大的情况下也能维持稳定的栅极驱动电压。其输出级设计具有低阻抗驱动能力，可快速充放电MOSFET栅极电容，缩短开关过渡时间，降低开关损耗，进而提升整个电源系统的能效表现。同时，芯片内部集成了匹配的传输延迟控制，保证高低边输出之间的时序一致性，有助于实现精确的PWM控制策略。
　　另一个重要特点是其紧凑的SOIC-8封装形式，不仅节省PCB空间，而且兼容标准贴片工艺，便于自动化生产。尽管封装小巧，但通过合理的布局和热设计，仍可满足中等功率应用的散热需求。此外，IR2308S支持高达600V的母线电压系统，适用于通用交流输入范围内的大多数离线式电源设计。最后，该器件具备良好的ESD防护等级和长期可靠性，经过严格的工业级测试认证，可在高温、高湿及强电磁干扰环境下长期稳定运行，广泛应用于工业电机驱动、数字电源模块及新能源变换设备中。

IR2308S广泛应用于各类需要高效半桥驱动架构的电力电子系统中。在电机驱动领域，它常被用于三相逆变器中的每相桥臂驱动单元，配合微控制器生成的PWM信号，精确控制交流电机或无刷直流电机的转速与扭矩。由于其具备良好的动态响应特性和抗干扰能力，非常适合用于变频空调、洗衣机、风机水泵等家用电器的电机控制系统。
　　在开关电源方面，IR2308S可用于有源PFC（功率因数校正）电路或LLC谐振转换器中的半桥驱动部分，驱动两个N沟道MOSFET实现高频软开关操作，从而提高电源效率并减小磁性元件体积。这类应用常见于服务器电源、通信电源及LED驱动电源等高能效要求场景。
　　此外，该芯片也适用于不间断电源（UPS）系统、太阳能微型逆变器、小型光伏并网设备以及感应加热炉等功率变换装置。在这些系统中，IR2308S负责将直流电转换为交流电或调节直流电压等级，发挥核心驱动作用。其高集成度和高可靠性大大简化了电源拓扑的设计流程，降低了开发周期与成本。结合适当的隔离措施（如光耦或数字隔离器），还可构建符合安规要求的隔离型电源系统。

IRS2308S, IR2108S, IRS2108S, UCC27324