JSM13N10C是一种高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型器件。该元件主要用于开关和功率转换应用,广泛适用于消费电子、工业控制及电源管理等领域。
JSM13N10C具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(V(BR)DSS)的特点,能够显著提高效率并减少功率损耗。此外,其快速开关特性和低栅极电荷设计使其非常适合高频应用环境。
最大漏源电压:100V
持续漏极电流:13A
导通电阻(Rds(on)):12mΩ(典型值,Vgs=10V时)
栅极-源极电压(Vgs):±20V
总功耗:180W
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
JSM13N10C具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中更低的功率损耗。
2. 高击穿电压(100V)保证了在较高电压条件下工作的可靠性。
3. 快速开关能力支持高频应用,从而减少磁性元件体积并优化系统设计。
4. 内置反向恢复二极管(Body Diode),增强了在整流或同步整流场景中的表现。
5. 良好的热稳定性允许其在极端温度环境下稳定运行,适应各类恶劣工况。
6. 符合RoHS标准,采用环保材料制造,适合绿色能源项目。
JSM13N10C适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 各类工业设备中的功率转换模块。
6. 消费电子产品中的充电保护和负载切换功能实现。
IRFZ44N
STP13NF06L
FDP15N10S
AO13N10