时间：2025/7/3 17:20:34
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JSM13N10C是一种高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型器件。该元件主要用于开关和功率转换应用，广泛适用于消费电子、工业控制及电源管理等领域。
JSM13N10C具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（V(BR)DSS）的特点，能够显著提高效率并减少功率损耗。此外，其快速开关特性和低栅极电荷设计使其非常适合高频应用环境。
最大漏源电压：100V
持续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
JSM13N10C具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻确保了在大电流应用中更低的功率损耗。
2. 高击穿电压（100V）保证了在较高电压条件下工作的可靠性。
3. 快速开关能力支持高频应用，从而减少磁性元件体积并优化系统设计。
4. 内置反向恢复二极管（Body Diode），增强了在整流或同步整流场景中的表现。
5. 良好的热稳定性允许其在极端温度环境下稳定运行，适应各类恶劣工况。
6. 符合RoHS标准，采用环保材料制造，适合绿色能源项目。
JSM13N10C适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 各类工业设备中的功率转换模块。
6. 消费电子产品中的充电保护和负载切换功能实现。
IRFZ44N
STP13NF06L
FDP15N10S
AO13N10
