时间：2025/5/20 13:52:59
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NTMFS5C430NLT1G-01 是一款来自 ON Semiconductor 的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换和电机驱动应用。其封装形式为 SOIC-8，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
这款 MOSFET 的设计使其能够在高频工作条件下保持高效能，同时具备出色的热稳定性和耐用性。通过优化的沟道结构和封装设计，NTMFS5C430NLT1G-01 能够在高电流负载下提供可靠的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（典型值）：4.3mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：230pF
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 紧凑的 SOIC-8 封装，节省电路板空间。
4. 宽工作温度范围，确保在极端条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 具备良好的热性能，支持长时间稳定运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 电池保护系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动器和负载切换应用。
NTMFS5C430NL, NTMFS5C430NLL, FDMQ8207
