时间：2025/4/28 13:20:46
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IPW60R037P7 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的功率 MOSFET 芯片，采用 TRENCHSTOP? 技术制造。该器件属于 P沟道 MOSFET 类型，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用中。它具有低导通电阻、高效率和出色的热性能，能够在高电流条件下提供稳定的性能。
IPW60R037P7 的封装形式为 PQFN 封装，适合表面贴装技术（SMT），能够满足现代电子设备对小型化和高效能的需求。
型号：IPW60R037P7
类型：P沟道 MOSFET
Vds（漏源极电压）：-60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：37mΩ
Id（持续漏极电流）：-28A
Qg（栅极电荷）：14nC
EAS（雪崩能量）：5.2mJ
封装：PQFN 5x6mm
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
IPW60R037P7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，在典型值下仅为 37mΩ，从而减少了传导损耗并提高了整体效率。
2. 高电流处理能力，支持高达 28A 的连续漏极电流，使其适用于高功率应用。
3. 出色的热性能，能够有效管理热量，确保长时间稳定运行。
4. 集成 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 小型 PQFN 封装设计，节省 PCB 空间，便于进行表面贴装。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应多种环境条件下的应用需求。
7. 符合 AEC-Q101 标准，可用于汽车级应用。
IPW60R037P7 常用于以下应用场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关和保护电路。
3. 汽车电子系统，例如电动座椅驱动、风扇控制和 LED 照明。
4. 工业自动化设备中的电机控制和驱动。
5. 通信设备中的电源管理和信号切换。
6. 各类消费电子产品中的高效功率转换模块。
IPD60R040P7
IPP60R040P7
IPB60R037P7
