品牌：STMicroelectronics
　　型号：M28W160CB-70N6E
　　存储容量：16 Mbit
　　存储结构：2 M × 8 / 1 M × 16
　　接口类型：并行
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　读取访问时间：70 ns
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除耐久性：100,000次/扇区
　　数据保持时间：100年
　　总线宽度：8/16位可配置

M28W160CB-70N6E具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛适用性。首先，其多用途闪存架构支持代码和数据的统一存储，允许系统在无需外部RAM的情况下直接从闪存执行程序（XIP, eXecute In Place），从而简化系统设计并降低成本。其次，该芯片采用扇区式存储结构，将整个存储阵列划分为多个独立可擦除的扇区，包括若干小扇区（如4 KB）和大扇区（如32 KB或64 KB），这种分层结构使得固件更新更加灵活，尤其适用于需要频繁更新部分代码或配置参数的应用。此外，器件内置的硬件和软件数据保护机制可有效防止意外写入或擦除操作，例如在上电/掉电过程中自动进入只读状态，避免电压不稳定引发的数据丢失。命令寄存器接口遵循标准化的指令协议，用户可通过发送特定的地址和数据序列来执行编程、擦除、挂起等操作，兼容性强且易于开发调试。另一个重要特性是其低功耗管理模式，包括自动待机模式和深度掉电模式，在待机状态下电流消耗可低至数微安，显著延长便携式设备的续航时间。器件还支持快速编程算法，结合内部电荷泵技术，无需外部高压电源即可完成编程操作，进一步简化了电源设计。所有引脚均符合LVTTL电平兼容标准，能够无缝连接主流微控制器和处理器。此外，M28W160CB-70N6E经过严格的工业级测试，可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适用于工业控制、汽车电子、通信设备等严苛环境下的应用。
　　该器件还具备良好的可靠性和长期数据保持能力，数据可保存长达100年，确保关键信息不会因长时间断电而丢失。制造工艺采用成熟的闪存技术，具备抗辐射和抗干扰能力，适合高稳定性要求的应用场景。整体设计兼顾性能、功耗与可靠性，使其成为传统EPROM和早期NOR闪存的理想替代方案。

M28W160CB-70N6E广泛应用于多种嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用包括工业控制系统中的固件存储，用于保存PLC程序、HMI界面数据或设备配置信息；在通信设备中，可用于存储路由器、交换机或基站模块的启动代码和操作系统映像；在消费类电子产品中，如打印机、机顶盒和智能家居控制器，该芯片可用于存放引导程序和用户设置参数。此外，由于其支持XIP功能，常被用于无ROM微控制器系统中作为外部程序存储器，使MCU能够直接从闪存运行代码，减少系统复杂度。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、仪表盘系统或车载信息娱乐系统中，存储控制逻辑和校准数据，其宽温特性和高可靠性满足汽车行业的要求。医疗设备中也常采用此类闪存来保存设备校准数据、操作日志或诊断程序，确保数据安全与可追溯性。此外，在军事和航空航天应用中，虽然需选用更高规格的版本，但其基础型号仍可作为参考设计使用于非极端环境下的子系统中。由于其并行接口提供较高的数据吞吐率，特别适合需要快速读取大量静态数据的场合，例如图形显示缓存或查找表存储。总体而言，M28W160CB-70N6E凭借其稳定的性能、成熟的生态系统和广泛的兼容性，成为众多中低端嵌入式系统中可靠的非易失性存储解决方案。

M28W160CT-70N6E
　　M29W160EB-70N6E
　　S29GL016D70TFIR2