CXK77B3640BGB-30 是一种高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由国产厂商设计制造。该器件通常用于需要快速数据访问和较高可靠性的应用场合,例如工业控制、通信设备、嵌入式系统等。该SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了低功耗和高性能的运行特点。其封装形式为BGA(球栅阵列封装),具有良好的电气性能和机械稳定性。
类型:静态随机存取存储器 (SRAM)
容量:36Mb (4M x 9)
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:30ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:BGA(球栅阵列)
引脚数量:165
接口类型:异步
数据总线宽度:9位
功耗:典型值为150mA(待机电流<10mA)
CXK77B3640BGB-30 的主要特性之一是其高速访问能力,访问时间仅为30ns,适用于要求快速响应的应用场景。此外,该芯片具有宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其在不同电源条件下均能稳定运行。其CMOS工艺不仅降低了功耗,还提高了抗干扰能力,从而增强了整体可靠性。工作温度范围从-40°C到+85°C,使得该SRAM适用于各种工业级环境。异步接口支持灵活的时序控制,便于与多种主控芯片进行连接。同时,该器件提供低待机电流(小于10mA),有助于节能设计,特别适用于需要长时间运行的设备。BGA封装形式不仅提供了良好的热管理和电气性能,还节省了PCB空间,提升了整体系统设计的灵活性。
该芯片广泛应用于需要高速存储和高稳定性的系统中,如工业自动化控制器、网络通信设备、测试测量仪器、嵌入式控制系统以及航空航天电子设备等。此外,它也可用于数据缓存、临时存储器扩展、高速缓冲存储器等场景。由于其工业级温度范围和高可靠性,特别适合在严苛环境下的关键任务系统中使用。
CY7C1364B-30BZC、IDT71V43640BGB-30B、IS61LV25616ALB-30