时间：2025/3/25 14:11:23
阅读：7
IR2110L4是IR公司推出的一款高性能、高压功率MOSFET和IGBT驱动器芯片。该芯片采用半桥配置，支持高侧和低侧驱动，具有较高的耐压能力（可达600V），并集成了自举电路以简化高侧驱动设计。IR2110L4适用于开关电源、电机控制、逆变器以及其他需要高效功率驱动的应用场景。
IR2110L4通过逻辑输入控制两个独立的输出通道，并内置了欠压锁定保护功能，能够有效防止供电电压不足时对电路造成损坏。同时，其快速传播延迟和匹配的传播延迟特性有助于降低系统死区时间，提高效率。
工作电压：10V-20V
高侧浮置电压：600V
驱动电流：±2.5A
传播延迟：75ns
匹配传播延迟差：最大30ns
工作温度范围：-40℃至125℃
1. 支持高侧和低侧驱动，适合半桥拓扑结构。
2. 内置自举二极管，方便高侧驱动电路的设计。
3. 高耐压能力，能够承受高达600V的浮动电压。
4. ±2.5A峰值驱动电流输出，确保高效的功率器件驱动。
5. 欠压锁定保护功能，避免低压条件下的不稳定运行。
6. 快速且匹配良好的传播延迟，减少系统死区时间，提升整体效率。
7. 宽工作温度范围，适应各种工业环境。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 逆变器及不间断电源（UPS）
4. 荧光灯电子镇流器
5. 各类工业自动化设备中的功率转换模块
6. 太阳能微逆变器等新能源相关产品
IR2110S4, IR2111, IR2112
