时间：2025/8/14 19:38:30
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PJU1N80 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高效能、低损耗的开关操作，适用于多种电源系统，如DC-DC转换器、电池充电器以及电源管理模块。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：1A
漏源击穿电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值6.5Ω（@VGS=10V）
功率耗散（PD）：1.25W
工作温度范围：-55°C至150°C
PJU1N80 具备较高的漏源击穿电压（800V），适合高压应用，确保在高电压下稳定工作。该器件采用了先进的平面技术，提供较低的导通电阻和快速开关特性，从而减少开关损耗，提高效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下运行而不会显著降低性能。其栅极设计具有较高的抗静电能力，有助于提升器件的可靠性和耐用性。
封装方面，PJU1N80 通常采用TO-92或类似的通孔封装形式，便于在各种电路板上安装，并确保良好的散热性能。这种封装形式也使其适用于传统的波峰焊工艺，提高了生产的便利性。
该器件广泛应用于高压电源转换系统，例如离线式AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、工业自动化控制设备以及消费类电子产品中的功率管理电路。其高电压能力和良好的导通特性使其特别适用于需要高效能和高可靠性的场合。
2SK2554, 2SK1318, 2SK2141
