时间：2025/7/9 19:57:44
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HH18N0R5B500CT 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等电力电子领域。它采用 TO-220 封装形式，便于散热并适合多种工业应用环境。
该 MOSFET 的设计旨在优化效率与可靠性，在高频开关条件下表现尤为突出，同时具备良好的抗雪崩能力，可承受短暂的过载电流冲击。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：18nC
总电容：120pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
HH18N0R5B500CT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达 500V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
2. 极低的导通电阻 (0.5Ω)，减少功率损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能，得益于小栅极电荷量 (18nC) 和优化的内部结构设计。
4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，适应恶劣环境条件。
5. 强大的抗雪崩能力，提供更高的系统安全性及可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装。
HH18N0R5B500CT 可用于多种电力电子设备中，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 负载开关或保护电路中的切换元件。
4. LED 照明驱动电路中的调节器件。
5. 各类逆变器和转换器模块中的核心功率组件。
由于其高耐压和低功耗的特点，这款 MOSFET 在工业控制、消费电子以及汽车电子等领域均有广泛应用。
IRF540N
STP36NF50
FQP17N50
