型号：IR11682S
　　制造商：Infineon Technologies
　　通道数：双通道
　　输出类型：高低边驱动
　　驱动配置：半桥
　　最大供电电压：20V
　　逻辑输入电压兼容：TTL/CMOS
　　峰值输出电流：1.3A（源电流）/ 1.7A（汲电流）
　　输入到输出传播延迟：典型值约120ns
　　上升时间（1000pF负载）：典型值45ns
　　下降时间（1000pF负载）：典型值30ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　隔离电压耐受能力：典型值1500Vrms（通过封装实现）
　　高端浮动电压范围：-5V 至 +600V
　　自举二极管集成：是
　　封装类型：SOIC-16（宽体）

IR11682S具备多项先进特性，使其成为中高功率开关电源设计中的理想选择。首先，它采用了自举架构支持高端浮动操作，允许高端输出驱动器在开关节点切换时仍能维持有效的栅极驱动电压，从而实现高效且稳定的半桥拓扑控制。其内部集成了自举二极管，这不仅简化了外部电路设计，还提升了系统可靠性，避免因外部二极管失效而导致的驱动故障。其次，该器件具有优异的抗噪声性能，特别是在高dv/dt环境下，其高端浮动侧可以承受高达100V/ns的电压变化率而不发生误触发，这对于防止虚假导通至关重要。
　　另一个关键特性是其精确匹配的传播延迟和通道间偏移控制。两个通道之间的传播延迟差异极小，确保了上下管的开关时序一致性，有效降低交叉导通风险，提高系统效率。同时，输入端支持标准TTL/CMOS电平接口，便于与各种控制器（如PWM控制器或MCU）直接连接，无需额外电平转换电路。此外，IR11682S内置完善的欠压锁定（UVLO）保护功能，分别对高端和低端驱动电源进行监控，当供电电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止因驱动不足导致的功率器件非饱和导通而损坏。
　　该芯片还具备良好的热管理和故障容限设计，在连续工作条件下表现出稳定的电气性能。其SOIC-16宽体封装提供了足够的爬电距离和电气隔离能力，满足IEC 60950等安全标准要求。综合来看，IR11682S通过高度集成、高抗干扰能力和可靠的保护机制，显著提升了电源系统的鲁棒性和设计灵活性。

IR11682S广泛应用于需要高效、可靠半桥驱动的各种电力电子系统中。典型应用场景包括通信电源（如48V转低压DC-DC变换器）、服务器电源模块、工业开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及电机驱动前端电路等。在这些系统中，常用于驱动LLC谐振变换器或有源钳位反激拓扑中的功率MOSFET对管，发挥其高频响应快、驱动能力强的优势。由于其支持高达600V的母线电压，因此非常适合连接整流后的PFC级后端变换电路。
　　在大功率适配器和充电设备中，IR11682S可用于同步整流或主开关驱动，帮助提升整体能效并满足能源之星等环保标准。此外，在光伏微逆变器和LED恒流驱动电源中，该芯片也能提供稳定可靠的栅极驱动信号，确保系统长期运行的稳定性。得益于其小型化封装和高集成度，IR11682S特别适合空间受限但性能要求高的应用场合。工程师利用其内置自举二极管和强抗干扰能力，可大幅减少外围元件数量，缩短产品开发周期，并提高生产良率。总之，IR11682S是一款面向中高端电源市场的高性能栅极驱动解决方案，适用于追求高效率、高可靠性和高功率密度的设计需求。

IRS2186S
　　IR2110S
　　UCC27712