型号：OT322533.3333MJBA4SL
　　品牌：Renesas (OmniClock)
　　类型：差分晶体振荡器 (XO)
　　输出频率：33.3333 MHz (1/3 of 100 MHz, 对应百兆以太网时钟)
　　频率精度：±25 ppm (典型值)
　　输出逻辑类型：LVDS / 可配置为 LVPECL
　　供电电压：2.5V ±0.1V 或 3.3V ±0.3V (依具体后缀而定)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　启动时间：≤ 5 ms (典型值)
　　老化率：±3 ppm/年 (最大值)
　　相位抖动（积分区间12kHz - 20MHz）：<1 ps RMS
　　封装尺寸：3.2 mm × 2.5 mm × 0.9 mm (SMD 表面贴装)
　　引脚数：6
　　输入控制：使能（Enable）/待机功能支持
　　ESD保护：≥ 2 kV HBM

OT322533.3333MJBA4SL 具备卓越的频率稳定性和极低的相位噪声表现，是其核心优势之一。在1 kHz偏移下，单边带相位噪声可达-150 dBc/Hz以下，在10 kHz偏移处优于-155 dBc/Hz，确保在高速串行链路中有效降低误码率。该器件采用高Q值石英晶体作为基准频率源，配合低噪声模拟PLL架构，实现了优异的抖动衰减能力，尤其适用于需要符合ITU-T G.8262/B.2标准的时间同步网络环境。其差分输出结构不仅提高了共模抑制比（CMRR），还显著增强了信号传输的抗电磁干扰（EMI）能力，即使在复杂PCB布线环境中也能维持高质量的时钟波形。输出上升/下降时间匹配良好（通常<500 ps），保证了严格的时序控制。器件内置自动增益控制（AGC）电路，确保在整个工作条件范围内输出幅度保持恒定，避免因温度或电源波动引起的信号退化。此外，该振荡器支持三态输出控制（三态使能），允许在多时钟源切换或系统休眠状态下将输出置于高阻态，防止总线冲突并节省功耗。产品通过AEC-Q200认证（如适用版本），具备高可靠性，适用于车载通信模块。整个制造过程遵循无铅（Pb-free）和RoHS合规标准，支持回流焊工艺，兼容现代自动化生产流程。
　　该器件的设计注重电源完整性，建议在VDD引脚附近添加低ESR陶瓷去耦电容（如1μF与0.1μF并联），以滤除高频噪声并稳定内部PLL工作点。其低功耗特性使其在满负荷运行时典型电流消耗仅为30mA左右（视输出类型和负载条件而定），有助于降低系统整体热负荷。对于高精度应用场景，该器件还可配合外部参考输入进行再同步或作为自由运行振荡器独立工作，展现出高度的系统适应性。

该器件广泛应用于电信基础设施领域，例如在同步以太网（SyncE）交换机和路由器中作为主控时钟源，提供符合G.8262标准的定时性能；在光传输设备（如OTU2/OTU3接口）中用于恢复和再生高速串行数据流所需的精确参考时钟；也可用于无线基站（如4G LTE、5G NR）中的基带单元与射频单元之间的时钟同步。此外，在高端网络附加存储（NAS）、数据中心互连（DCI）设备以及测试测量仪器（如示波器、误码率测试仪）中，该振荡器常被用作关键时钟基准，保障系统采样和数据处理的准确性。由于其小型化封装和高性能表现，也适用于紧凑型工业控制器、医疗成像系统及时钟分配模块等对空间和稳定性双重敏感的应用场合。在需要冗余时钟备份或多源切换的系统中，该器件的三态输出功能可与其他振荡器无缝切换，提升系统可用性与可靠性。
　　在实际电路设计中，应特别注意差分走线的等长匹配与阻抗控制（通常为100Ω差分阻抗），以最大限度发挥其高频性能。建议使用受控阻抗PCB层叠结构，并避免邻近高速开关信号以减少串扰。电源路径上需加入磁珠与去耦网络，进一步抑制来自电源平面的噪声耦合。

SiT9121AI-25-33.3333333X1D
　　ICS3225-33.3333M