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TDNM3K50DW 发布时间 时间:2025/6/28 16:18:22 查看 阅读:7

TDNM3K50DW是一款高性能的MOSFET功率晶体管,由意法半导体(STMicroelectronics)制造。该器件属于MDmesh技术系列,采用TO-220封装形式。它主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。其特点是具有低导通电阻、高电压耐受能力以及快速开关特性,适用于要求高效能和高可靠性的电力电子设备。
  这款MOSFET具有优异的热性能和电气性能,能够承受较高的漏源电压,并且在导通状态下展现出较低的电阻损耗,从而提高了整体系统的效率。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:5A
  导通电阻:1.1Ω
  栅极电荷:45nC
  输入电容:1050pF
  开关速度:快速
  封装形式:TO-220

特性

TDNM3K50DW具备以下特点:
  1. 高击穿电压,支持高达650V的工作电压,使其非常适合高压应用环境。
  2. 低导通电阻,仅为1.1Ω,在导通状态下减少功耗并提高系统效率。
  3. 快速开关特性,通过优化的栅极电荷设计,确保了更快的开启与关闭时间,降低开关损耗。
  4. 优异的热性能,有助于散热管理,增强长期运行的可靠性。
  5. 紧凑的TO-220封装形式,易于集成到各种电路板设计中,同时提供良好的散热表现。
  6. 具有出色的抗雪崩能力和抗浪涌能力,确保在异常条件下仍能正常工作。

应用

TDNM3K50DW广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),作为主开关元件,用于实现高效的能量转换。
  2. DC-DC转换器,用于提升或降低直流电压,以满足不同负载的需求。
  3. 电机驱动,特别是在中小功率电机控制中,提供精确的电流调节。
  4. 负载切换,如汽车电子中的负载切换应用,确保电路的安全性和稳定性。
  5. 工业自动化设备,包括各种控制器和执行器的功率输出级。
  6. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电保护及能量分配。

替代型号

IRF840,
  STP36NF06,
  FQA27P12,
  IXTN20N65L

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