CBR06C189BAGAC 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的肖特基二极管,属于罗姆半导体(ROHM)的 CBR 系列。该系列器件以其卓越的开关性能和低功耗而闻名,特别适用于高频和高效率的应用场景。CBR06C189BAGAC 的设计旨在满足工业设备、通信电源以及新能源系统等对高性能功率转换的需求。
该器件采用了先进的 SiC 材料技术,相比传统硅基二极管,具有更低的正向压降和更小的反向恢复电流,从而提升了整体系统的效率和可靠性。
型号:CBR06C189BAGAC
类型:肖特基二极管
材料:碳化硅(SiC)
额定电压:1700V
额定电流:6A
正向压降:≤1.5V(典型值1.2V @ 25℃)
反向恢复时间:无反向恢复特性
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-247-2L
CBR06C189BAGAC 的主要特性包括:
1. 使用碳化硅材料,具备更高的击穿电场强度和热导率,能够支持更高电压和温度的操作。
2. 超低的正向压降使得导通损耗显著降低,提高了效率。
3. 几乎无反向恢复电荷(Qrr),大幅减少了开关损耗,非常适合高频应用。
4. 工作结温高达 175℃,增强了器件在恶劣环境下的适应能力。
5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
这些特性使 CBR06C189BAGAC 成为需要高效率和高可靠性的功率转换电路的理想选择。
CBR06C189BAGAC 广泛应用于以下领域:
1. 太阳能逆变器中的功率转换模块,提升能量转换效率。
2. 不间断电源(UPS)系统,提供快速响应和高效保护。
3. 电动汽车充电站的功率因数校正(PFC)电路,实现高效功率管理。
4. 通信电源中的 DC/DC 转换器,减少热量生成并提高转换效率。
5. 工业电机驱动中的整流和逆变电路,增强系统性能。
由于其高电压和大电流处理能力,CBR06C189BAGAC 在高压高频场合中表现出色。
CBR06C189BALC
CBR06C189BAHC