时间：2025/4/29 13:58:38
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IPZA60R037P7 是英飞凌（Infineon）推出的一款功率MOSFET，基于TRENCHSTOP?技术制造。该器件采用P沟道设计，主要应用于高效率、低损耗的开关场景中。其出色的导通电阻和快速开关性能使得它非常适合于负载切换、DC-DC转换器以及电源管理等应用领域。
IPZA60R037P7 的封装形式为PQFN5*6，具有良好的热性能和紧凑的设计，适合对空间敏感的应用环境。
型号：IPZA60R037P7
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：30V
最大连续漏极电流(ID)：60A
导通电阻(RDS(on))：3.7mΩ
栅极电荷(Qg)：12nC
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +175℃
封装形式：PQFN5*6
IPZA60R037P7 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，能够在高电流条件下降低功耗。
2. 快速开关性能，减少了开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 小型化的 PQFN5*6 封装，适合紧凑型设计。
5. 工作温度范围广 (-55℃ 到 +175℃)，适用于各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
这些特性使得 IPZA60R037P7 成为高效率功率转换应用的理想选择。
IPZA60R037P7 广泛应用于以下领域：
1. 负载开关：用于服务器、通信设备中的高效负载切换。
2. DC-DC 转换器：提供高效率的电压转换功能。
3. 电机驱动：用于小型电机控制，例如家用电器和工业自动化。
4. 电池管理系统 (BMS)：用于电动汽车和储能系统的电池保护与管理。
5. 电源管理：包括适配器、充电器等便携式电子设备的电源解决方案。
其高电流承载能力和低导通电阻特性使其成为上述应用的最佳选择。
IPA60R037P7,
IPD60R037P7,
IPP060N03LP4
