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2SK2158-A 发布时间 时间:2025/7/16 8:45:12 查看 阅读:11

2SK2158-A是一种高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,主要应用于高频放大器、射频电路和音频功率放大器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高增益的特点,适用于要求高效率和高稳定性的电子设备。
  2SK2158-A属于双极型射频功率晶体管系列,特别适合于需要大功率输出的应用场合,例如无线通信系统、广播发射机等。其出色的频率特性和线性度使其成为许多专业领域的首选元件。

参数

集电极-发射极击穿电压:140V
  集电极最大电流:16A
  直流电流增益(hFE):15~70
  工作频率范围:30MHz~450MHz
  功率耗散:300W
  栅极电压(最大):±30V
  封装形式:TO-3P

特性

2SK2158-A具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压,确保在高压条件下可靠运行。
  2. 大电流处理能力,能够满足高功率应用的需求。
  3. 较宽的工作频率范围,适应多种射频应用场景。
  4. 稳定的直流电流增益,保证了良好的线性度和输出质量。
  5. 采用TO-3P封装,便于安装和散热管理。
  6. 低噪声性能,尤其适合对信号纯净度要求较高的场合。

应用

2SK2158-A广泛应用于以下领域:
  1. 射频功率放大器设计,用于无线通信基站和中继站。
  2. 广播发射机中的末级功放模块。
  3. 高保真音响设备的功率输出级。
  4. 工业控制系统的高频驱动电路。
  5. 测试与测量仪器中的功率信号源。
  6. 医疗设备中的高频能量发生器。

替代型号

2SC2903, 2SK2158