型号：M25PE10VMN6TP
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储类型：非易失性闪存
　　存储容量：1 Mbit (128 Kbyte)
　　接口类型：SPI, 支持标准/双输出/四输出模式
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持75 MHz
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　封装形式：SO8 (150 mil)
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写保护功能：支持软件与硬件WPN引脚控制
　　擦除时间：最大4秒（整片擦除）
　　编程时间：典型值0.7ms（每页）
　　待机电流：典型值1 μA
　　工作电流：典型值9 mA（读取模式）
　　存储单元耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：100年
　　写保护区域：顶部/底部扇区可配置
　　状态寄存器：支持忙标志、写使能、保护位等

M25PE10VMN6TP具备多项先进特性，确保其在复杂环境下的稳定运行。首先，该芯片支持多种SPI工作模式（Mode 0和Mode 3），允许主控制器灵活配置时钟极性和相位，提升系统兼容性。其次，它支持标准SPI指令集，包括快速读取、页编程、扇区擦除、块擦除和整片擦除，同时引入了“四I/O读取”模式（Quad I/O Fast Read），通过四条数据线同时传输，显著提高数据吞吐率，适用于对读取速度敏感的应用。此外，芯片内置状态寄存器，用户可通过读取状态寄存器获取当前操作状态（如是否处于忙状态）、写使能锁存状态以及写保护配置情况，便于实现精确的流程控制。
　　在安全性方面，M25PE10VMN6TP提供了多层次的写保护机制。除了可以通过软件指令设置特定地址区域的保护外，还配备了一个硬件WPN（Write Protect Not）引脚，当该引脚被拉低时，即使接收到写指令也不会执行，从而在外部干扰或系统异常时有效防止误写。这种软硬结合的保护策略极大提升了数据可靠性。另外，该器件支持上电自动识别功能，无需复杂的初始化序列即可进入正常工作状态，简化了系统设计。其低功耗特性也十分突出，在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电或节能型设备使用。
　　制造工艺方面，M25PE10VMN6TP采用成熟的浮栅技术，保证了数据的长期稳定性。所有操作均在内部电荷泵支持下完成，无需外部高压编程电源，降低了系统设计复杂度。器件符合工业级温度规范，可在-40°C至+85°C范围内可靠运行，适应恶劣工作环境。此外，该芯片通过了多项国际环保标准认证，如RoHS和无卤素要求，符合现代绿色电子产品的发展趋势。其高集成度和成熟的设计使其成为众多嵌入式系统中首选的串行闪存解决方案之一。

M25PE10VMN6TP广泛应用于各类需要非易失性存储的嵌入式系统中。在消费类电子产品中，常用于数字电视、机顶盒、路由器、智能音箱等设备中存储启动代码（Bootloader）和固件程序，因其体积小、接口简单，非常适合高度集成的主板设计。在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、传感器模块、人机界面（HMI）等设备中保存校准数据、运行参数和配置信息，其宽温特性和高可靠性保障了工业现场长时间稳定运行。
　　在网络通信设备中，如交换机、光模块、无线AP等，M25PE10VMN6TP用于存储设备的MAC地址、加密密钥、网络配置等关键数据，其快速读取能力有助于缩短设备启动时间。在汽车电子系统中，尽管该型号并非AEC-Q100认证产品，但仍可用于部分车载信息娱乐系统、仪表盘显示模块或车身控制模块中的辅助存储，前提是工作环境符合其温度和可靠性要求。
　　此外，该芯片也常见于医疗设备、测试仪器和便携式终端中，用于记录设备状态、用户设置或小型日志文件。由于其支持SPI接口且驱动程序成熟，易于与各类微控制器（如STM32、NXP Kinetis、Microchip PIC等）对接，开发成本低，调试方便。对于需要远程固件升级（OTA）的应用，M25PE10VMN6TP的按扇区擦除和页编程特性也便于实现增量更新和回滚机制。总之，该芯片凭借其稳定的性能、成熟的生态和广泛的兼容性，成为中小容量串行闪存市场中的经典型号之一。

M25P10VMN6G
　　EN25P10-70SIP
　　W25Q10BVSN1G
　　AT25DF1024A-SSHD-T