1N5368B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N53xx系列。该系列二极管广泛应用于电路中的瞬态电压抑制(TVS)和过压保护场景。1N5368B具有快速响应、高浪涌电流能力以及稳定的反向击穿电压特性,使其非常适合用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载开关和其他瞬态电压事件的损害。
这种二极管的主要功能是将过高的瞬态电压钳位到安全水平,同时允许较大的浪涌电流通过而不损坏自身。
最大反向工作电压:70V
峰值脉冲电流:234A
最大反向漏电流:5uA(25℃)
击穿电压(VBR):69V至71V
结电容:约5pF
正向电压(VF):1.1V(在1mA时)
1N5368B具有以下主要特性:
1. 高度可靠的反向击穿电压特性,能够在指定范围内稳定工作。
2. 快速响应时间,能够迅速抑制瞬态电压波动。
3. 能够承受高达234A的峰值脉冲电流,适用于高浪涌环境。
4. 极低的反向漏电流,保证了在正常工作条件下的低功耗。
5. 小巧的封装形式(通常为DO-41或DO-204AD),便于安装和集成。
6. 广泛的工作温度范围(-65℃至+150℃),适合各种恶劣环境。
1N5368B的应用领域非常广泛,包括但不限于:
1. 电源电路中的瞬态电压抑制。
2. 通信设备中的ESD保护。
3. 工业控制系统中的过压保护。
4. 汽车电子中的负载突降保护。
5. 各种家用电器中的瞬态电压防护。
6. 计算机和网络设备中的信号线保护。
1N5368
SM6C
P6KE70A