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1N5368B 发布时间 时间:2025/4/30 16:37:54 查看 阅读:4

1N5368B是一种常见的高压硅雪崩整流二极管,属于1N53xx系列。该系列二极管广泛应用于电路中的瞬态电压抑制(TVS)和过压保护场景。1N5368B具有快速响应、高浪涌电流能力以及稳定的反向击穿电压特性,使其非常适合用于保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、电感负载开关和其他瞬态电压事件的损害。
  这种二极管的主要功能是将过高的瞬态电压钳位到安全水平,同时允许较大的浪涌电流通过而不损坏自身。

参数

最大反向工作电压:70V
  峰值脉冲电流:234A
  最大反向漏电流:5uA(25℃)
  击穿电压(VBR):69V至71V
  结电容:约5pF
  正向电压(VF):1.1V(在1mA时)

特性

1N5368B具有以下主要特性:
  1. 高度可靠的反向击穿电压特性,能够在指定范围内稳定工作。
  2. 快速响应时间,能够迅速抑制瞬态电压波动。
  3. 能够承受高达234A的峰值脉冲电流,适用于高浪涌环境。
  4. 极低的反向漏电流,保证了在正常工作条件下的低功耗。
  5. 小巧的封装形式(通常为DO-41或DO-204AD),便于安装和集成。
  6. 广泛的工作温度范围(-65℃至+150℃),适合各种恶劣环境。

应用

1N5368B的应用领域非常广泛,包括但不限于:
  1. 电源电路中的瞬态电压抑制。
  2. 通信设备中的ESD保护。
  3. 工业控制系统中的过压保护。
  4. 汽车电子中的负载突降保护。
  5. 各种家用电器中的瞬态电压防护。
  6. 计算机和网络设备中的信号线保护。

替代型号

1N5368
  SM6C
  P6KE70A

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1N5368B参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)47V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.2V @ 1A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 35.8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大5W
  • 阻抗(最大)(Zzt)25 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳T-18,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C
  • 其它名称1N5368BOS