MC10EPT20DG 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的功率晶体管芯片,采用 TO-263 封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其主要用途包括电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。MC10EPT20DG 的额定电压和电流使其非常适合于中高功率的应用场景。
该器件通过优化的设计结构,确保了高效的能量转换和较低的功耗损失。同时,它还具备快速的开关速度以及良好的热稳定性。
最大漏源电压:45V
最大连续漏极电流:20A
栅极电荷:7nC
导通电阻:18mΩ
总功耗:140W
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TO-263
MC10EPT20DG 的主要特点在于其卓越的电气性能和可靠性。首先,它的低导通电阻 (Rds(on)) 仅有 18 毫欧姆,在高电流条件下能够显著减少导通损耗。其次,其快速开关特性使其适合高频操作环境,并且降低了开关过程中的能量损耗。
此外,这款功率晶体管采用了先进的封装技术,确保了良好的散热性能。在极端温度范围内,MC10EPT20DG 依然能够保持稳定的电气特性和机械强度。
从保护功能的角度来看,该器件内置过流保护机制,能够在异常情况下自动限制电流输出,从而避免损坏核心电路。这些优势使得 MC10EPT20DG 成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。
MC10EPT20DG 广泛应用于各种需要高效功率管理的场合。典型应用领域包括但不限于:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
2. 电机驱动及控制
3. 工业自动化设备中的负载开关
4. 电动车和混合动力车的电池管理系统
5. 高效照明系统中的功率调节
由于其出色的性能表现,MC10EPT20DG 在许多高要求应用场景下得到了广泛认可。
IRFZ44N, FDP5500