类型：P沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs = -4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.06Ω @ Vgs = -2.5V
　　功耗（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SO-8

FDN337P具有多项显著的性能特点。首先，其低导通电阻特性使得在导通状态下损耗极低，从而提高了系统的整体效率。在Vgs为-4.5V时，Rds(on)仅为0.045Ω，而在更低的Vgs（如-2.5V）下，Rds(on)也保持在0.06Ω的水平，这使得该器件可以在低电压控制电路中高效工作。此外，FDN337P采用了先进的沟槽技术，提升了器件的热稳定性和可靠性，能够在较高温度下持续工作。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从-8V到+8V的Vgs操作，使其能够与多种控制器和驱动电路兼容。其最大连续漏极电流为4A，适用于中等功率级别的开关应用。FDN337P的封装形式为SO-8，这种小型化封装不仅节省空间，而且便于散热管理，适用于高密度PCB布局。
　　此外，FDN337P具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击，增强了系统的安全性。其工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在极端环境条件下的稳定运行。

FDN337P广泛应用于需要高效功率管理的各类电子设备中。其主要应用领域包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。由于其低导通电阻和宽广的栅极电压范围，FDN337P特别适合用于便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电池供电系统，以提高能效并延长电池续航时间。
　　在工业自动化和控制系统中，FDN337P可用于驱动继电器、传感器和其他低功率执行机构。此外，该器件还可用于LED照明系统的调光控制以及电动工具和小型家电的电机控制模块。由于其封装形式适合表面贴装，因此也非常适用于自动化生产线的高密度PCB组装。

Si4435DY, FDC6303, IRML2301