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F6102NTGK 发布时间 时间:2025/7/23 19:40:38 查看 阅读:8

F6102NTGK是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于高功率电子设备中。该器件基于富士电机的专有技术,具有较低的导通电阻和较高的开关性能,适用于电源转换器、电机驱动、工业自动化等高要求的应用场景。F6102NTGK采用了高效率的封装设计,有助于在高电流负载下保持稳定的性能。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  连续漏极电流(Id):13A
  导通电阻(Rds(on)):0.45Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  栅极电荷(Qg):27nC
  输入电容(Ciss):1200pF

特性

F6102NTGK具备多项关键特性,使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。
  首先,该器件具有较低的导通电阻(Rds(on))为0.45Ω,这意味着在高电流工作条件下,其功率损耗较低,从而提高了整体系统的效率。这对于需要高能效的电源转换系统尤为重要。
  其次,F6102NTGK的漏源电压为600V,能够承受较高的电压应力,适用于多种高电压应用,如工业电源、UPS系统和变频器等。其高耐压特性也提高了器件在高压环境下的稳定性和可靠性。
  此外,该MOSFET的封装形式为TO-247,这种封装具有良好的热性能,能够有效地将热量传导到散热器,确保器件在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。这有助于延长器件的使用寿命并提高系统的稳定性。
  F6102NTGK的栅极电荷(Qg)为27nC,输入电容(Ciss)为1200pF,这些参数表明其具有较快的开关速度,能够支持高频操作,适用于需要快速开关的场合,如DC-DC转换器和高频逆变器。
  最后,该器件的工作温度范围为-55°C至150°C,能够在极端温度条件下正常工作,适用于各种严苛的工业环境。

应用

F6102NTGK的应用范围广泛,主要集中在需要高功率处理能力和高效率的电子系统中。
  在电源管理领域,F6102NTGK常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为主开关元件。其低导通电阻和高耐压特性使其在高效率电源系统中表现出色,尤其适用于需要高输出功率的服务器电源、通信设备电源和工业控制电源。
  在电机控制和驱动领域,F6102NTGK可用于变频器和电机驱动器的功率级设计。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够支持高效、可靠的电机控制,适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。
  此外,该器件还广泛应用于不间断电源(UPS)系统中,用于实现电能的高效转换和稳定输出。由于其良好的热性能和耐压能力,F6102NTGK能够在UPS系统中提供稳定的功率输出,确保电力中断时的持续供电。
  在新能源领域,F6102NTGK也可用于太阳能逆变器和储能系统中。其高效率和高可靠性使其成为太阳能逆变器中理想的功率开关元件,有助于提高系统的整体能效和稳定性。

替代型号

FQA13N60C、FDPF6102NT、FDPF6102NTP

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F6102NTGK参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 频率17.5GHz ~ 21.5GHz
  • 灵敏度-
  • 数据速率(最大值)-
  • 调制或协议-
  • 应用通用
  • 电流 - 接收-
  • 数据接口SPI
  • 存储容量-
  • 天线连接器-
  • 特性-
  • 电压 - 供电2.1V ~ 2.5V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳40-WFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装40-VFQFPN(5x5)